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TDM3478 N-通道增强模式MOSFET芯片
概述 TDM3478使用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)和低栅极电荷。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。
一般说明 RDS(ON)< 9.7mΩ @ VGS=4.5V RDS(ON)< 6mΩ @ VGS=10V 高功率和电流处理能力 ESD保护 表面安装包 无铅和绿色设备可用(RoHS兼容)
应用 PWM应用程序 负载交换机 电源管理 供电系统
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