完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦， 立即完善>
3天内不再提示
电子发烧友论坛|
本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管，设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子和势垒高度的不变性在GeneSiC二极管上测量理论理查德森常数被提取出来。这些结果表明肖特基是稳健的用于在GeneSiC设计和制造肖特基二极管的表面制备程序;在金属-半导体界面处产生均匀的势垒高度空间分布
0
|
|
|
|
|
只有小组成员才能发言，加入小组>>
21872 浏览 0 评论
20321 浏览 0 评论
2896 浏览 0 评论
2579 浏览 0 评论
3902浏览 0评论
1567浏览 0评论
/9 
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
电子发烧友 （电路图） 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证：合字B2-20210191
工商网监
湘ICP备2023018690号
733
淘帖
577
