虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究,始于 2009 年左右的香港科技大学,但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产,则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人,是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中,长期担任副总裁及更高级别的管理职位,并领导研发工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率芯片方面拥有丰富的研发经验。另外,Dan 也是首届 ISPSD 电力电子名人堂的入选者。
Marco Giandalia在电源转换和电机驱动领域,拥有超过 20 年的高压集成电路设计经验,他在定义、建模、设计和评估高性能氮化镓功率芯片方面,起到了极大的贡献。
应用与技术营销副总裁张炬(Jason Zhang)在氮化镓领域工作了 20 多年,专门从事高频、高密度的电源设计。他创造了世界上最小的参考设计,被多家头部厂商采用并投入批量生产。
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