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* 文件 main.c * 所有者 David Tosenovjan * 版本 0.1 * 日期 2023 年 5 月 31 日 *分类 一般业务信息 ************************************************* ************************************* * 详细说明: * 这个例子的目的是展示如何保存数据在 SRAM 存储器中通过 SW * 复位。 * INIT_Derivative(文件 MPC5607B_HWInit.c)被修改为跳过 ECC RAM * SW 复位源的初始化。链接器命令文件定义了 my_ram * 部分,一个被重置的数据被访问为指向这个 * 位置的地址指针。初始化 SW 复位后会定期触发, * 递增地址 test_address_3 上的数据。 * * ---------------------------------------------- ------------------------------ * 测试硬件:XPC5607B 176LQFP,XPC56XX EVB MOTHEBOARD Rev.C * MCU:PPC5607BMLUAM03Y * 终端: 19200-8-no parity-1 stop bit-no flow control on LINFLEX_0 * Fsys: 64/48 MHz * Debugger: Lauterbach Trace32 * PeMicro USB-ML-PPCNEXUS * Target: RAM, internal_FLASH * EVB connection: none * *** ****************************************************** ****************************** |
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1个回答
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要保存数据在SRAM存储器中通过SW,可以按照以下步骤进行操作:
1. 修改INIT_Derivative(文件MPC5607B_HWInit.c),跳过ECC RAM SW复位源的初始化。 2. 定义一个被重置的数据段,称为my_ram部分。 3. 在代码中分配和使用my_ram数据段,以便持久性保存数据。 具体实现步骤可能因具体项目而异,需要详细查看相关资料和文档,了解项目的具体需求和实现方式。 |
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