[问答]

将数据写入闪存时一直没有回读任何内容怎么解决？

98 闪存

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 你好！我正在将数据写入闪存并遇到一个奇怪的异常情况，即数据在重新启动时自行擦除。我有一个程序将数据写入闪存，另一个程序读取数据，但它一直没有回读任何内容。我最终使用一个程序写入数据，然后使用 STM32CubeProgrammer 读取数据。第一次阅读显示我的数据。当我断开连接并重新连接时，一切又都消失了。我当前的代码相当简单。我有一个 Flash 位置，预留了 10 页： /* Memories definition / MEMORY { RAM (xrw) : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 40K FLASH (rx) : ORIGIN = 0x8000000, LENGTH = 106k FLAG_VAR (rx) : ORIGIN = 0x8015800, LENGTH = 2k LOC_VAR (rx) : ORIGIN = 0x8016000, LENGTH = 20k } 不过，我目前只使用 1 页进行测试。我正在有效地擦除闪存，然后在 byteArray 中加 1，然后写入 2048 字节（一页）。它似乎工作正常（正如我提到的，它写入正确，只是第二次擦除它）。不幸的是，我不完全确定发生了什么，所以我不确定如何解决这个问题。知道什么会导致页面自行擦除吗？如果有帮助，这是我正在使用的代码（有很多外部变量，所以如果我遗漏了什么，我深表歉意）： void find_flash_anomalies() { uint8_t tempvar = 0; for(uint32_t i = 0; i < flash_array_size_bytes; i++) { byteArray = tempvar; tempvar = (tempvar+1) % 256;* } uint8_t num_pages = 1; for(uint8_t i = 0; i < num_pages; i++) { if(erase_pages(location_flash_address, 1) == HAL_OK) { program_pages_u8(location_flash_address, &byteArray[0], 2048); } } } uint32_t erase_pages(uint32_t start_address, uint8_t num_pages) { FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct; HAL_FLASH_Unlock(); uint32_t res = -1; uint32_t PAGEError = 0; EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; EraseInitStruct.Banks = GetBank(start_address); EraseInitStruct.Page = GetPage(start_address); EraseInitStruct.NbPages = num_pages; if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK) { res = -1; } else { res = HAL_OK; } return res; } uint32_t program_pages_u8(uint32_t start_address, uint8_t data, uint16_t num_u8)* { uint32_t address = start_address; uint64_t temp_doubleword = 0; uint8_t temp1, temp2, temp3, temp4, temp5, temp6, temp7, temp8 = 0; for(uint16_t i=0; i < (num_u8); i+=8) { temp1 = (uint8_t)(data+i); temp2 = (uint8_t)(data+i+1); temp3 = (uint8_t)(data+i+2); temp4 = (uint8_t)(data+i+3); temp5 = (uint8_t)(data+i+4); temp6 = (uint8_t)(data+i+5); temp7 = (uint8_t)(data+i+6); temp8 = (uint8_t)(data+i+7); temp_doubleword = ((uint64_t)temp1 << 0) + ((uint64_t)temp2 << 8) + ((uint64_t)temp3 << 16) +((uint64_t)temp4 << 24) + ((uint64_t)temp5 << 32) + ((uint64_t)temp6 << 40) + ((uint64_t)temp7 << 48) +((uint64_t)temp8 << 56) ; if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, address, temp_doubleword) == HAL_OK) { address = address + 8; } else { return -1; } } return HAL_OK; } 如果您能给我或指出任何帮助，我们将不胜感激。不确定我是否以某种方式损坏了闪存并且它在开始时重新初始化它或者可能是什么问题。我此时有点莫名其妙。感谢你的帮助！ 0
2023-1-6 06:03:17　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × wang21cj 该类别下有 44 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 41 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 39 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 33 个回答。邀请回答 HengDu 该类别下有 30 个回答。邀请回答 hwp0415229 该类别下有 28 个回答。邀请回答 jghgfdssas 该类别下有 28 个回答。邀请回答可口可甜该类别下有 26 个回答。邀请回答 kingnet6688 该类别下有 26 个回答。邀请回答颜刚YanG 该类别下有 26 个回答。邀请回答 zyh34997 该类别下有 25 个回答。邀请回答柱子图宁该类别下有 25 个回答。邀请回答 kingnet9999 该类别下有 25 个回答。邀请回答 jenny042 该类别下有 25 个回答。邀请回答 andyfly7 该类别下有 25 个回答。邀请回答麻酱该类别下有 25 个回答。邀请回答成长的小师弟该类别下有 24 个回答。邀请回答 gXDhn 该类别下有 24 个回答。邀请回答 jiangwenwen 该类别下有 24 个回答。邀请回答哼小曲该类别下有 24 个回答。邀请回答举报王浩相关推荐 • PTN3460闪存写入导致EDID仿真被禁用怎么解决？ 230 • 闪存数据在1000次循环之前就一直损坏是怎么回事 1501 • 是否有其他方法检测加密flash闪存扇区是否处于已擦除/未写入状态？ 228 • STM32F103利用I2C读写EEPROM时，利用页写入时，读回的数据和写入的数据不一致，为什么？ 179 • 回读AD7689的CFG寄存器，请问回读的值是在写入寄存器后的下一次的DATA中吗 3901 • 请问如何将数据写入板卡闪存？ 202 • 安全手册中，写入配置的软件回读是怎么实现的？ 2653 • 无法使用CAPTURE_VIRTEX5原语读回FF和Latch状态怎么解决？ 1637 • 回读AD7689的CFG寄存器的值，回读的值是在写入寄存器后的下一次的DATA中吗? 311 • 写入SPI闪存时如何保持LCD刷新？ 272 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 没有真正的行为模式可以做到这一点确保您自己的擦除代码未触发，仅通过直接用户交互执行它。即您输入命令或代码/密码

2023-1-6 11:05:53 评论举报云达贞