[问答]

RM0433 FLASH编程过程中QW和中断的精确顺序是什么呢？

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 阅读 RM0433 中关于闪存的部分后，我对闪存编程期间的事件顺序有点怀疑。这很重要，因为在开始其他写入操作之前，我需要知道某些写入操作已完成（这样即使设备重置或断电也会反映更新）。根据我的理解，我首先在要编程的bank的FLASH_CR中设置PG标志，然后我从32字节对齐的地址开始写入32字节。在此之后，QW 标志应该变高，当它变低时，我可以开始另一个写操作（问题 1：这是否意味着物理写已经开始或已经完成？）。问题 2：BSY 标志有什么作用（它是否已过时或是否意味着物理写入正在进行或......）？问题 3：如果我启用了中断，“编程结束”将在某个时间被调用，但是什么时候（当 QW 变低或当物理操作完成时或......）？ 0
2023-1-3 07:45:12　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × wang21cj 该类别下有 44 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 41 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 39 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 33 个回答。邀请回答 HengDu 该类别下有 30 个回答。邀请回答 hwp0415229 该类别下有 28 个回答。邀请回答 jghgfdssas 该类别下有 28 个回答。邀请回答颜刚YanG 该类别下有 26 个回答。邀请回答可口可甜该类别下有 26 个回答。邀请回答 kingnet6688 该类别下有 26 个回答。邀请回答 kingnet9999 该类别下有 25 个回答。邀请回答 jenny042 该类别下有 25 个回答。邀请回答 andyfly7 该类别下有 25 个回答。邀请回答麻酱该类别下有 25 个回答。邀请回答 zyh34997 该类别下有 25 个回答。邀请回答柱子图宁该类别下有 25 个回答。邀请回答云汉007 该类别下有 24 个回答。邀请回答 ggfvxv 该类别下有 24 个回答。邀请回答 heks 该类别下有 24 个回答。邀请回答 iyfhnvbn 该类别下有 24 个回答。邀请回答举报恐龙之家相关推荐 • 求助，请问任何系统闪存都是可写的吗？ 101 • 请问STM32H7不使用电池时如何连接VBAT？ 208 • 具有外部触发器的STM32H753的ADC在第一个转换序列后停止了如何让它工作？ 193 • 请问RM0444 和0454中的Flash页码是否正确呢？ 255 • AD读取过程中中断突然没有信号输入 2330 • AVR自编程是如何实现的？如何将一个函数定义在BOOT区呢？ 659 • IAP功能实现过程中遇到的坑 1076 • 在数据发送/接收过程中I2C会被FDCAN中断吗？ 236 • NRF51822在调试过程中遇到哪些问题呢 1408 • Labveiw顺序结构的中断 6376 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 涉及的缓冲区使事情变得复杂，但 RM 非常清楚推荐的方法。当 QW 为低电平时写入完成。数据被写入并将在此时断电时保留。当 QW 为高时，它要么在等待更多数据，要么操作正在进行。当操作积极进行时，BSY 变高，但 QW 也变高，因此您不需要它。较旧的系列没有缓冲区或 QW 位，因此这是您唯一需要的标志。在 H7 中并非如此。编程完成后设置 EOP 标志，因此 QW 将为低电平。

2023-1-3 14:37:39 评论举报王艳