[问答]

如何对STM32H743ZI2核板实施EEPROM仿真？

150 EEPROM

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 我正在尝试按半字对我的闪存半字进行编程。没有 HAL 库来完成这项工作，所以我正在使用寄存器。擦除我想写入的特定扇区后，我试图用下面的代码更改控制寄存器 1。这是二进制的 0101 0010（您可以从参考手册中查看 CR1 寄存器以了解更多详细信息）。调试时，我可以看到 FLASH->CR1 寄存器在十六进制中变为 0x12，在二进制中变为 0001 0010。由于我无法理解的原因，我无法设置第 6 位。我也试着一点一点地改变。仍然无法设置 FW1(6th) 位。这就是我要问的。我不能用半字块对我的闪存进行编程。任何应用程序代码，任何帮助将不胜感激。我可以用 hal 库（256 位）编写。我在这里想说的是，除了上面提到的情况，没有问题。 0
2022-12-28 06:57:59　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × wang21cj 该类别下有 44 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 41 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 39 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 33 个回答。邀请回答 HengDu 该类别下有 30 个回答。邀请回答 hwp0415229 该类别下有 28 个回答。邀请回答 jghgfdssas 该类别下有 28 个回答。邀请回答 kingnet6688 该类别下有 26 个回答。邀请回答颜刚YanG 该类别下有 26 个回答。邀请回答可口可甜该类别下有 26 个回答。邀请回答柱子图宁该类别下有 25 个回答。邀请回答 jenny042 该类别下有 25 个回答。邀请回答 kingnet9999 该类别下有 25 个回答。邀请回答 andyfly7 该类别下有 25 个回答。邀请回答麻酱该类别下有 25 个回答。邀请回答 zyh34997 该类别下有 25 个回答。邀请回答哼小曲该类别下有 24 个回答。邀请回答云汉007 该类别下有 24 个回答。邀请回答 ggfvxv 该类别下有 24 个回答。邀请回答 heks 该类别下有 24 个回答。邀请回答举报大彭相关推荐 • STM32H743ZI2定时器时钟在哪里找？ 145 • Nucleo 144 - STM32H743ZI2的输出引脚提供可以提供5V吗？ 172 • Nucleo STM32H743ZI2引出线的位置不对是为什么？ 168 • STM32H7上的EEPROM仿真读取不到正确数据怎么解决？ 242 • STM32H743VIT6可以用NUCLEO-H743ZI板调试吗？ 306 • 如何让NUCLEO-H743ZI2按钮工作？ 334 • 我想知道Nucleo-H743ZI2板的引脚是否存在明显差异？ 231 • Nucleo-H743ZI2原理图不可用的原因？怎么解决？ 347 • 为什么无法使用ETH(RMII)和LwIP ping NucleoH743ZI2？ 363 • STM32H723ZG与STM32H743ZI的SWO之间的差异是什么？ 509 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 我不确定，但也许需要在将 16 位数据写入闪存地址后设置位 6 (FW1)。当心：总体而言，STM32H7 更喜欢将闪存写入 256 位部分。您可以使用 Force Write 位，但会产生后果。如参考手册中所写： “即使写缓冲区未满，FW1 也会强制执行写操作。在这种情况下，所有位都未写入由硬件设置为 1。“ 还： “注意：使用强制写入操作可防止应用程序稍后更新丢失的位不是 1，因为它很可能会导致永久 ECC 错误。” 也许更好的解决方案是将 256 位闪存块读入 RAM，更新 RAM 缓冲区中要更新的 16 位部分，然后将其作为完整的 256 位部分写回闪存。因此，您可以避免处理强制写入位，并且可以稍后更新 256 位扇区的其他部分。

2022-12-28 15:22:26 评论举报刘欣