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我正在尝试按半字对我的闪存半字进行编程。没有 HAL 库来完成这项工作,所以我正在使用寄存器。
擦除我想写入的特定扇区后,我试图用下面的代码更改控制寄存器 1。 这是二进制的 0101 0010(您可以从参考手册中查看 CR1 寄存器以了解更多详细信息)。 调试时,我可以看到 FLASH->CR1 寄存器在十六进制中变为 0x12,在二进制中变为 0001 0010。由于我无法理解的原因,我无法设置第 6 位。我也试着一点一点地改变。仍然无法设置 FW1(6th) 位。这就是我要问的。我不能用半字块对我的闪存进行编程。任何应用程序代码,任何帮助将不胜感激。 我可以用 hal 库(256 位)编写。我在这里想说的是,除了上面提到的情况,没有问题。 |
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1个回答
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我不确定,但也许需要在将 16 位数据写入闪存地址后设置位 6 (FW1)。
当心: 总体而言,STM32H7 更喜欢将闪存写入 256 位部分。 您可以使用 Force Write 位,但会产生后果。如参考手册中所写: “即使写缓冲区未满,FW1 也会强制执行写操作。在这种情况下,所有位都未写入 由硬件设置为 1。“ 还: “注意:使用强制写入操作可防止应用程序稍后更新丢失的 位不是 1,因为它很可能会导致永久 ECC 错误。” 也许更好的解决方案是将 256 位闪存块读入 RAM,更新 RAM 缓冲区中要更新的 16 位部分,然后将其作为完整的 256 位部分写回闪存。因此,您可以避免处理强制写入位,并且可以稍后更新 256 位扇区的其他部分。 |
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