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本文档是关于ARM® Cortex®-M3内核的高等容量基本型单片机STM32F101xC, STM32F101xD,STM32F101xE的数据手册， 介绍了它的主要外设资源和电特性参数。
特征： 核心：ARM 832位Cortex3-M3 CPU36 MHz最大频率，1.25 DMIPS/MHz(Dhnystone 2.1)性能 单周期乘法与硬件除法 记忆 -256至512千字节的闪存 -至多48千字节的SRAM -带有4的柔性静态存储器控制器 芯片选择。支持紧凑型闪存 SRAM，pSRAM，NOR和NAND 记忆 LCD并行接口，8080/6800模式时钟、复位和供应管理 一2.0至3.6V应用程序提供和L/O 一POR、PDR和可编程电压 探测器(PVD) -4-t0-16 mhz晶体振荡器 -Internal 8 MHz factory-trimmed RC -内部40千赫钢筋混凝土校准 能力 -32 kHz RTC振荡器的校准 
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