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【STM32L162xE】本文档是关于基于ARM® Cortex®-M3 内核的超低功耗32位单片机STM32L162xE的数据手册， 介绍了它的主要外设资源和电特性参数。
特征： 超低功率平台 一1.65V至3.6V电源 一-40°C~105°C。C温度范围 一290NA待机模式(3个唤醒引脚) -1.11μA备用模式+rtc 一560 NA停止模式(16条唤醒线) 一1.4μA停止模式+rtc -11μA低功耗运行模式降至4.6μA 低功耗睡眠模式 195μA/MHz运行模式 一10 nA超低/O泄漏 一8μ的唤醒时间 AES 128位加密硬件加速器 核心：ARM 8 Cortex-M3 32位cpu 一从32kHzup到32MHzmax 一1.25DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1) 一存储器保护单元 多达34个电容传感信道 CRC计算单元，96位唯一ID 重置和供应管理 一低功耗，超音波(通电复位) 有5个可选择的阈值 -超低功耗POR/PDR -可编程电压检测器(PVD) 
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