基于ARM® Cortex®-M4的STM32F413xG STM32F413xH数据手册

2022-11-28 08:06:24 425 单片机数据手册

0 【STM32F413xG STM32F413xH】本文档是关于ARM® Cortex®-M4内核的的单片机 STM32F413xG, STM32F413xH 数据手册，介绍了它的主要外设资源和电特性参数。特征：基于eBAM(增强)的动态效率线批获取模式) -1.7 V至3.6 V电源一-40°C至85/105/125℃温度范围核心：ARM@32位Cortex8-M4 CPU和FPU，自适应实时加速器(ART)允许0-等待状态执行从闪存，频率高达100兆赫，存储器保护单元，125 BMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令记忆一最多为1.5M字节的闪存 -320千字节的SRAM -柔性外部静态存储器控制器有最多16位的数据总线：SRAM，pSRAM，非闪存 -双模四极SPI接口 LCD并行接口，8080/6800模式时钟、复位和供应管理一1.7至3.6V应用程序供应和L/O -POR、PDR、PVD和BOR。 -4-t0-26 mhz晶体振荡器内部16 mhz工厂修剪rc 32 kHz定标RTC振荡器一内部32 kHz钢筋混凝土校准功耗运行：112个μA/MHz(外围设备关闭) 一停止(闪存在停止模式下，快速唤醒时间)：42μA Typ.；80μAmax@25°C 一停止(在深断电模式下闪存， (慢醒时间)：15μA型； 46μAmax@25°C 无RTC备用：1.1μA型； 14.7μ在@85°C下的最大值 -VBAT为RTC提供：1 UA@25°C 0 DS11581_STM32F413xG STM32F413xH单片机数据手册.pdf 3.18 MB , 下载次数: 1
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