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采用ti最新的GaN技术设计，图1a所示的功率级开关节点波形真的引人瞩目。其在120V / ns转换速率下，从0V升到480V，并具有小于50V的过冲。 图1：TI 600V半桥功率级——开关波形（a）；设备封装（b）；半桥板图（c）。 GaN FET具有低端子电容，因而可快速切换。然而，当GaN半桥在高di / dt条件下切换时，功率环电感在高压总线和开关节点处引入振铃/过冲。这限制了GaN FET的快速切换功能。由于引线长且封装为大尺寸，传统的功率封装通常具有来自引线和接合线的高电感。在含铅封装中已观察到高达几百伏的过冲。减少过冲的关键是最小化功率环电感。为了降低引线电感，TI以表面贴装四方扁平无引线（QFN）封装提供单通道GaN功率级产品。如图1b所示…
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