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采用ti最新的GaN技术设计,图1a所示的功率级开关节点波形真的引人瞩目。其在120V / ns转换速率下,从0V升到480V,并具有小于50V的过冲。 图1:TI 600V半桥功率级——开关波形(a);设备封装(b);半桥板图(c)。 GaN FET具有低端子电容,因而可快速切换。然而,当GaN半桥在高di / dt条件下切换时,功率环电感在高压总线和开关节点处引入振铃/过冲。这限制了GaN FET的快速切换功能。由于引线长且封装为大尺寸,传统的功率封装通常具有来自引线和接合线的高电感。在含铅封装中已观察到高达几百伏的过冲。减少过冲的关键是最小化功率环电感。为了降低引线电感,TI以表面贴装四方扁平无引线(QFN)封装提供单通道GaN功率级产品。如图1b所示…
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移植了freeRTOS到STMf103之后显示没有定义的原因?
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使用eim外接fpga可是端口一点反应都没有有没有大哥指点一下啊
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请教大神怎样去解决iMX6Q在linux3.0.35内核上做AP失败的问题呢
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