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CL50D54K 是以 EPROM 作为存储器的 8 位单片机,并内置锂电池充电功能,专为锂电池供电 和多 I/O 要求应用设计。采用 CMOS 制程并同时提供 客户低成本、高性能、及高性价比等显著优势。 CL50D54K 核心建立在 RISC 精简指令集架构可以很容易地做编程和控制,共有 55 条指令。除了少 数指令需要 2 个指令时钟,大多数指令都是 1 个指令时钟能完成,可以让用户轻松地以 过程控制完 成不同的应用。因此非常适合各种中低记忆容量但又复杂的应用。 在 I/O 的资源方面,CL50D54K 有 4 根弹性的双向 I/O 脚,每个 I/O 脚都有单独的寄存器控制 为输入或输出脚。而且每一个 I/O 脚位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉电阻或开漏 (Open-Drain)输出。 CL50D54K 有 1 组计时器,可用系统时钟当作一般的计时应用或者从外部讯号触发来计数。 CL50D54K 采用双时钟机制,高速振荡时钟或者低速振荡时钟都由内部 RC 振荡输入。在双时 钟机制下, CL50D54K 可选择多种工作模式如正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待机 模式(Standby mode)与睡 眠模式(Halt mode),可节省电力消耗,延长电池寿命。 在省电的模式下,如待机模式(Standby mode)与睡眠模式(Halt mode)中,有多个中断源可 以触发来唤醒 YF55D54K 进入正常操作模式(Normal mode)或慢速模式(Slow mode)来处理突发 事件。 MCU 功能部分 宽广的工作电压: 2.0V ~ 5.5V @系统时钟 ≦8MHz 2.2V ~ 5.5V @系统时钟 >8MHz l 宽广的工作温度:-40°C ~ 85° l 512x14 bits EPROM,32 bytes SRAM。 4 根可分别单独控制输入输出方向的 I/O 脚(GPIO)、PB[5:0]。 PB[3:0]可選擇輸入時使用內建下拉電阻。 PB[5:0]可選擇上拉電阻。 PB[5:4]及 PB[2:0]可選擇開漏極輸出(Open-Drain) PB[3]可選擇當作輸入或開漏極輸出(Open-Drain) 4 層程式堆棧 (Stack)。 存取資料有直接或間接定址模式。 一組 8 位元上數計時器(timer0)包含可程式化的頻率預除線路 內建上電復位電路(POR),內建低壓復位功能(LVR) 內建看門狗計時(WDT),可由程式韌體控制開關。 雙時鐘機制,系統可以隨時切換高速振盪或者低速振盪。 •高速振盪: I_HRC (1~20MHz 內部高速 RC 振盪) •低速振盪: I_LRC (內部 32KHz 低速 RC 振盪) 四種工作模式可隨系統需求調整電流消耗:正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機模式 (Standby mode) 與 睡眠模式(Halt mode)。 三種硬體中斷: •Timer0 溢位中斷。 •PB 輸入狀態改變中斷。•外部中斷輸入。 CL50D54K 在待機模式(Standby mode)下的三種喚醒中斷: Timer0 溢位中斷。 PB 輸入狀態改變中斷。 外部中斷輸入。 CL50D54K 在睡眠模式(Halt mode)下的二種喚醒中斷: PB 輸入狀態改變中斷。 外部中斷輸入。 充电功能部分 可编程使充电电流可达 500mA 不需要 MOSFET,传感电阻和阻塞二级管具 小尺寸实现对锂离子电池的完全线性充电管理 恒流/恒压运行和热度调节使得电池管理效力最高,没有热度过高的危险线 从 USB 接口管理单片锂离子电池涓 预设充电电压为 4.2V±1% 2.9V 涓流充电阈值电压 ESD(HBM)>7KV 符合 IEC62368 最新标准
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