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S26KL512SDABHB020闪存芯片S26KS512SDGBHB030

2022-2-3 11:41:35 964

0 S26KL512SDABHB020闪存芯片S26KS512SDGBHB030 前两天西部数据召开了一个会议，主要讨论关于与东芝合作的各项协议细则，而西部数据在会议上还报告了BiCS 3和BiCS 4 3D NAND的生产状况。之前西部资料制定过一个目标，希望今年采用BiCS 3技术生产的64层3D NAND能占到3D NAND产量的75%，不过现在这个数字有望能提升到90%以上。另一组资料显示，西部数据的存储器类型还没完全从2D NAND转换成3D NAND，现在3D NAND只占总产量的65%，换言之西部数据生产的所有存储器还有三分之一是2D NAND。另外，在本月12号，西部数据宣布采用BiCS4技术的96层3D NAND已经出货给零售商，早在6月底时我们已经了解到西部数据的BiCS 4 NAND不仅会有TLC类型，而且会有QLC。使用BiCS 4技术的TLC NAND芯片和采用BiCS 3的TLC NAND芯片没任何区别，均包含256Gb和512Gb两种规格，但是采用BiCS 4技术的QLC的存储芯片还可以有768Gb甚至1Tb这两种规格。同时西部数据在他们的PPT中表示从2D NAND工艺转向3D NAND工艺过程非常繁琐，他们也认为这个计划的执行时间比原定时间延迟了大约6个月，不过从2D NAND彻底转向3D NAND的持续过程不会用太长时间。在现在2D转3D的潮流中，有些制造商已经将用于生产2D NAND的设备升级成生产DRAM的设备，而不是升级成生产3D NAND的设备，不知道西部数据会不会借鉴这种思路。 S26KL512SDABHN020 S26KS512SDPBHA020 S26KS512SDABHM030 S26KS512SDGBHM030 S26KS512SDPBHI020 S26KL512SDABHN030 S26KS512SDABHI030 S26KL512SDABHB020 S26KS512SDGBHB030 S26KS512SDPBHA023 S26KS512SDPBHB020 S26KL512SDABHB023 S26KS512SDABHB030 S26KL512SDABHV023 S26KL512SDABHB030 S26KL512SDABHA030 S26KL512SDABHA020 S26KS512SDPBHM020 S26KS512SDGBHN030 S26KS512SDGBHA030 S26KL512SDABHM030 S26KS512SDABHA030 S26KS256SDGBHV030 S26KL256SDABHV020 S26KL256SDABHI030 S26KL256SDABHI020 S26KS256SDPBHV020 S26KS256SDPBHM020 S26KS256SDPBHI020 S26KS256SDPBHN020 S26KS256SDPBHA023 S26KS256SDPBHA020 S26KL256SDABHB030 S26KS256SDABHB030 S26KS256SDGBHI030 S26KS256SDGBHN030 S26KL256SDABHV030 S26KL256SDABHB020 S26KL256SDABHN030 S26KL256SDABHA020 S26KL256SDABHN020 S26KS256SDABHI030 S26KS256SDABHV030 S26KL256SDABHB023 0
2022-2-3 11:41:35　　评论淘帖0 举报相关推荐 • S29GL512S10FAI020闪存芯片S29GL512S11DHI010 950 • 如何用JLink在rt1170上烧写hyperflash S26KS512？ 188 • S25FS512SDSNFB013闪存芯片S25FS512SAGNFV013 944 • S25FS512SDSMFI011闪存芯片S25FS512SAGMFV013 404 • S25FL512SAGMFB010闪存芯片S25FL512SAGMFA011 985 • S29GL512S11DHIV10闪存芯片S29GL512S10GHI010 928 • S25FL512SDSMFV013UWD 闪存芯片S25FL512SAGMFVG11 1064 • S27KS0641DPBHV020 6 • 使用S29GL512M也没有闪存 2784 • TMS-S231-512G 22