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S29GL512S11DHIV10闪存芯片S29GL512S10GHI010
随着原厂3D NAND技术的发展，从2018下半年开始，各家均开始向96层3D技术升级，今天西部数据推出了其新一代96层3D NAND的UFS2.1（iNAND MC EU321），旨在加速实现人工智能（AI）、增强现实（AR）、支持多个摄像头的高分辨率摄影、4K视频采集以及其他面向高端手机及计算设备的高要求应用。2018年智能型手机对大容量需求强劲，尤其是苹果、三星、华为等新机容量向512GB升级，正推动高端旗舰机容量需求翻倍增加。 西部数据iNAND MC EU321 UFS2.1产品采用了96层3D NAND技术，西部数据早2017年宣布成功研发出96层3D 和QLC NAND，单Die容量最高可达1.33Tb。随着新一代96层3D NAND技术的成熟，西部数据正在积极导入嵌入式产品中应用，满足移动设备不断增长的容量需求。西部数据iNAND MC EU321 UFS2.1产品容量提供32GB-256GB，目前高达256GB容量的存储解决方案正在OEM中开展测试。据悉，西部数据iNAND MC EU321，符合UFS 2.1协议规范，及西部数据iNAND SmartSLC 5.1架构，可提供高达550MB/s的连续写入性能，尺寸大小为11.5x13x1.0mm，能够为智能手机、平板电脑和PC笔记本电脑设备，提供卓越的性能，而且即使设备接近满负荷运行，也能实现出色的应用体验。 西部数据产品市场高级总监Oded Sagee表示：“移动设备已成为我们日常互联生活的中心。随着面向5G速度、4K视频、AR和VR等新兴功能不断提升智能手机、平板电脑和笔记本电脑的能力，用户对设备的期望，以及支持这些日益丰富用户体验的技术需求也在水涨船高。我们的3D NAND技术使得用户能够获得更高的存储容量，从而支持其整个智能手机生命周期对数据的需求。同时，在传统存储架构下，设备的性能通常会随着容量的消耗而逐渐降低，而西部数据公司的iNAND MC EU321 EFD专门用于高性能运转的维持，使用户能够始终自如地创建、保存和享受他们的数字体验。” S29GL512S10GHI010 S29GL512S11FAIV20 S29GL512S11DHIV13 S29GL512S11DHA020 S29GL512S11DHIV10 S29GL512S10DHI023 S29GL512S11DHA013 S29GL512S11DHA010 S29GL256S10TFI020 S29GL256S10TFB020 S29GL256S11TFV020 S29GL256S11TFV010 S29GL256S11TFIV10 S29GL256S10TFB023 S29GL256S90TFI020 S29GL256S10TFA023 S29GL256S10TFIV13 S29GL256S90TFI013 S29GL256S10TFV010 S29GL256S10TFI010 S29GL256S90TFA010 S29GL256S10TFV020 S29GL256S10TFIV23 S29GL256S10TFV013 S29GL256S90TFA023 S29GL256S11TFVV10 S29GL256S10TFA020 S29GL256S10TFV023 S29GL256S11TFV023 S29GL256S11TFIV20 S29GL256S90TFI010 S29GL256S90TFI023 S29GL256S10TFIV10 S29GL256S10TFIV20 S29GL256S90TFA020 S29GL256S11DHIV10 S29GL256S10DHAV23 S29GL256S90DHI020 S29GL256S10FAIV10 S29GL256S90FAI013 S29GL256S90DHI023 S29GL256S11DHB023 S29GL256S10FAIV13 S29GL256S10DHIV10 
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