[供应]

S29GL01GT10TFI010闪存芯片S29GL01GT11TFV010

2022-2-1 22:50:14 814

0 S29GL01GT10TFI010闪存芯片S29GL01GT11TFV010 西部数据（Western Digital）宣布基于先进的96层3D NAND推出嵌入式存储产品iNAND MCEU511，支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane规格，提供64GB-512GB容量选择，目前iNAND MC EU511正在给OEM客户送样。此外，西部数据先进的iNAND SmartSLC Generation 6，助力写入速度高达750MB/s，可在3.6秒内完成2小时的电影下载，连续读取速度几乎是其前代产品的两倍。 2019年5G爆发，2月21日三星已率先发布了Galaxy S10 5G手机，随后华为、中兴、一加等5G手机也将发布，引爆5G在手机上的应用商机。西部数据iNAND MCEU511 UFS 3.0具有超快的传输速度、低延迟、低功耗，是为5G时代的到来而准备，通过UFS3.0将丰富智能手机用户在5G时代的移动体验。同样为了满足5G手机需求，东芝存储TMC在1月份率先发布首款UFS 3.0嵌入式存储产品，也是采用最先进的96层BiCS 3D NAND，三星推出业界首款1TB大容量eUFS 2.1产品，再加上西部数据iNAND MC EU511给OEM客户送样，将加速5G手机市场需求的增加。西部数据设备高级总监Oded Sagee表示：“高速的5G网络速度是前代产品的100倍，并将融合人工智能技术应用，使得智能型手机成为设备的中心。同时，边缘的实时计算对数据访问和获取也有如此高的需求，西部数据UFS 3.0能够让消费者感受5G新体验，比如在增强现实、虚拟现实（AR/VR）和移动游戏等方面体现高性能和更低延迟。 S29GL01GT11TFV020 S29GL01GT13TFNV13 S29GL01GT11TFV010 S29GL01GT11TFIV33 S29GL01GT10TFI030 S29GL01GT10TFA010 S29GL01GT13TFNV10 S29GL01GT11TFIV10 S29GL01GT12TFN020 S29GL01GT10TFI010 S29GL01GT10TFI013 S29GL01GT12TFN023 S29GL01GT10TFI020 S29GL01GT11TFB023 S29GL01GT12TFVV20 S29GL01GT11TFB020 S29GL01GT12TFVV10 S29GL01GT11TFIV30 S29GL01GT12TFN010 S29GL01GT13TFNV20 S29GL01GT11TFIV20 S29GL01GT11TFIV40 S29GL01GT13TFNV23 S29GL01GT12TFN013 S29GL01GT10TFA013 S29GL01GT12TFVV13 S29GL01GT10DHSS20 S29GL01GT10DHI023 S29GL01GT11FAIV23 S29GL01GT11DHV010 S29GL01GT11DHB020 S29GL01GT12DHN020 S29GL01GT11DHV020 S29GL01GT13DHNV13 S29GL01GT10FHI010 S29GL01GT13DHNV20 S29GL01GT11DHIV20 S29GL01GT10DHA023 S29GL01GT11FHIV13 S29GL01GT10FAI023 S29GL01GT10DHI010 S29GL01GT11DHAV23 S29GL01GT13DHNV23 S29GL01GT12DHN013 0
2022-2-1 22:50:14　　评论淘帖0 举报相关推荐 • S29GL01GT11FHV010闪存芯片S29GL01GT10GHI010 777 • S29GL01GS10TFI023闪存芯片S29GL01GS10TFI010 850 • S29GL512S11DHIV10闪存芯片S29GL512S10GHI010 940 • S29GL512S10FAI020闪存芯片S29GL512S11DHI010 958 • S29 GL01GT11DHB010推荐插座的制造商和型号是什么 1839 • S29GL256S10DHA023闪存芯片S29GL256S10FHI010 949 • 请教S29GL128P10TFI010 烧录 2031 • 关于S29GL01 2164 • 请问S29GL128P10TFI01的封装引脚宽度是多少 2605 • 切换到S29GL01闪存芯片任何样本访问代码可用吗？ 2696