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局部放电测试仪检测缺陷位置及缺陷类型判断依据
1、判断缺陷位置的依据 (1) 多传感器定位 使用延时方法实现空间定位。使用多个传感器同时测量疑似故障,并以信号最先到达的传感器作为触发信号源,可以得到超声波从放电源到每个传感器的传播时间,然后根据超声波在设备介质中的传播速度和方向,可以确定放电源的空间位置。 (2) 单传感器定位 移动传感器,测试气室的不同部位,找到信号的大点,对应的位置就是缺陷点。有两种方法可以确定缺陷是在储罐上还是在中心导体上。 方法一:通过调整测量频带,将带通滤波器的测量频率从100kHz降低到50kHz。如果信号幅度显着降低,则缺陷位置应在外壳上;信号电平基本不变,缺陷位置应该在中心导体上。 方法二:如果信号电平的大值出现在罐面圆周的大范围内,则缺陷位置应在中心导体上;如果大值出现在特定点,则缺陷位置应在壳上。缺陷类型判断依据见表C.1。 2.缺陷类型判断依据 (1) 游离金属颗粒 对于运行中的设备,粒子信号的幅度:背景噪声 注:此处推荐的参考值可能因设备条件、运行条件、检测设备等因素不同而有所差异。各地可根据历史检测数据和自身系统风险进行统计分析,定期修订完善推荐参考值。 (2)电晕放电(数据参照带电设备带电检测技术规范中的规定) 毛刺一般在外壳上,但导体上的毛刺危害更大。只要信号高于本底值,就是有害的,应根据工况处理。在耐压过程中,发现毛刺放电现象,即使低于标准值也应进行处理。 (3) 浮动电位 电位悬停一般发生在断路器气室的屏蔽松动、PT/CT气室的绝缘支架松动或偏离、母线气室的绝缘支架松动或偏离、气室的接头连接部位有偏差或螺栓松动等。只要在设备内部形成潜在的悬空,就很危险。应加强监测,有条件的应及时处理。对于126kV GIS,如果100Hz信号幅值远大于50Hz信号幅值,且Vpeak>10mV,则应缩短检测周期并密切监测其增幅。如果Vpeak>20mV,则应切断电源。 363kV、550kV及以上设备,应提高标准。 注:此处推荐的参考值可能因设备条件、运行条件、检测设备等因素不同而有所差异。各地可根据历史检测数据和自身系统风险进行统计分析,定期修订完善推荐参考值。其中,A(dBmV)=20lg(B mV /1mV)。 华天电力http://www.whhuatian1.com专业电测15年,产品选型丰富,值得信赖的电测设备厂家 |
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