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WInSiC4AP的主要目标是什么
WInSiC4AP致力于为高能效、高成本效益的目标应用开发可靠的技术模块，以解决社会问题，并克服欧洲在其已处于世界领先水平的细分市场以及汽车、航空电子、铁路和国防领域所面临的技术挑战。 |
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WInSiC4AP中的SiC技术
SiC器件的制造需要使用专用生产线，这是因为半导体的物理特性（掺杂剂的极低扩散性和晶格的复杂性），以及市场现有晶片的直径尺寸较小（150mm），特别是离子注入或掺杂剂激活等工艺与半导体器件制造工艺中使用的常规层不相容[1]。 因此，这些特异性需要特殊的集成方案。 使用这些方法将可以实现截止电压高于1200V和1700V的两种SiC功率MOSFET，电流强度为45A，输出电阻小于100mΩ。 这些器件将采用HiP247新型封装，该封装是专为SiC功率器件设计，以提高其散热性能。SiC的导热率是硅[2]的三倍。以意法半导体研制的SiC MOSFET为例，即使在200°C以上时，SiC MOSFET也能保持高能效特性。 |
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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
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