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小弟站在工艺的门槛前好奇的往里窥探,求高人解惑CMOS 100问

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问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 1. 为什么要pad oxidation？仅仅是为了抵消SIN和SI之间的应力吗？这里的所谓应力指的是由于热膨胀导致的SIN和SI之间的应力吗？（印象中两者的的热膨胀系数好象很接近的？难道SIO2的是介于两者之间的？） 0
2011-12-2 14:32:59　　 1 评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × 14054 该类别下有 2 个回答。邀请回答 XUE@LIN 该类别下有 1 个回答。邀请回答小海_SZ 该类别下有 1 个回答。邀请回答 springjci 该类别下有 1 个回答。邀请回答 csheli 该类别下有 1 个回答。邀请回答 fancywenquan 该类别下有 1 个回答。邀请回答江湖之远该类别下有 1 个回答。邀请回答 leecon 该类别下有 1 个回答。邀请回答 jf_1664521027.6602 该类别下有 1 个回答。邀请回答 jf_37592706 该类别下有 1 个回答。邀请回答 wknv0dFk 该类别下有 1 个回答。邀请回答 704296726 该类别下有 1 个回答。邀请回答 bo1989 该类别下有 1 个回答。邀请回答 1落1寞1111 该类别下有 1 个回答。邀请回答开票一该类别下有 1 个回答。邀请回答湖畔天使1 该类别下有 1 个回答。邀请回答 007liuhong 该类别下有 1 个回答。邀请回答缺鱼的水该类别下有 1 个回答。邀请回答新手上路10 该类别下有 1 个回答。邀请回答 mxs1123 该类别下有 1 个回答。邀请回答举报缺鱼的水相关推荐 • 求问各位前辈小弟安装8.6时出现乱码呜呜！！！ 2418 • 为什么要选择标准CMOS工艺集成肖特基二极管？ 2008 • 怎么采用标准CMOS工艺设计RF集成电路？ 2482 • 请教腐蚀工艺的相关工艺流程及技术员的职责 5044 • protues中PT100测温电路 21413 • 高人看一下下面的接线柱怎么接线 4849 • 如何采用CMOS工艺实现超高速复接器集成电路的设计？ 1121 • 分频电路由什么构成？2.4GHz动态CMOS分频器设计难吗？ 1749 • 如何利用0.18μm CMOS工艺去设计16:1复用器？ 896 • 新手求msp430解惑 10327 1 条评论胡秋阳 2011-12-2 15:02 我先来替你加分. 赞回复举报 5个回答

100问..我滴神啊..
我先回答这个看看,有帮助的话要加分分哦,
1. SIN和SI之间的应力会导致SIN和SI界面产生缺陷，SIO2和Si界面不会

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2011-12-2 14:43:25 评论

答案对人有帮助，有参考价值 0 工程照明发表于 2011-12-2 14:43 100问..我滴神啊.. 我先回答这个看看,有帮助的话要加分分哦, 1. SIN和SI之间的应力会导致SIN和SI界面产生缺 ... 谢谢你的回答,不过貌似我还不能加分哦,可能是等级还不够哦,等我等级够了一定回来替你加分哈.

2011-12-2 14:54:10 评论举报缺鱼的水

答案对人有帮助，有参考价值 0 生成场氧的同时推阱有什么影响?

2011-12-2 14:57:44 评论举报缺鱼的水

缺鱼的水发表于 2011-12-2 14:57
生成场氧的同时推阱有什么影响?

生长场氧的时候对阱基本无影响，原因：
（1）生长场氧一般为湿氧，温度相对较低，好象一般在1000度以
下，对杂质的再分布影响有限。
（2）生长场氧时推阱已经做过，对于其它热过程已经不敏感.

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2011-12-2 15:01:33 评论

答案对人有帮助，有参考价值 0 CMOS 100问太厉害了鼎力支持

2011-12-2 15:15:34 评论举报 wangka

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