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哪位牛人帮忙指点下我的ring oscillator的温度特性啊，在27°C时为要求1.28M，但在85°C时就变到1.05M，在-40°C时变到了1.45M，请问怎么能改进，以适应宽温度范围，要求稳定在1.28M，最好偏差不超过5%。
是做IC，请问怎样能合理的构架呢？我是新手，求指导，我用的是最基本的3级环震，在加反相器整形。 最基本的环振但我仿真时加了个理想的电流源，还是温度变化很大啊？是不是不是bandgap所影响的啊，还是环振后加了4级反相器做整形时反相器影响的？ 
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4个回答
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这个问题 比较复杂 一时半会说不清！！
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你是作IC吗，合理的架构设计是关键
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是恒流环振吗？主要是电流随温度变化导致的吧，搞一个与温度无关的电流源试试吧，不过实际情况是，即使温度没问题了，die to die的偏差还是很难避免，wafer trimming逃不掉的。
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这个和Vth的变化有关！设计时还是需要triming的。
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