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(一)结型场效应晶体管的检测 1.判别电极与管型 用万用表R×100档或R×1k档,用黑表笔任接一个电极,用红表笔依次触碰另外两个电极。若测出某一电极与另外两个电极的阻值均很大(无穷大)或阻值均较小(几百欧姆至一千欧姆),则可判断黑表笔接的是栅极G,另外两个电极分别是源S和漏极D。 在两个阻值均为高阻值的一次测量中,被测管为P沟道结型场效应晶体管;在两个阻值均为低阻值的一次测量中,被测管为N沟道结型场效应晶体管。也可以任意测量结型场效应晶体管任意两个电极之间的正、反向电阻值。若测出某两只电极之间的正、反向电阻均相等,且为几千欧姆,则这两个电极分别为漏极D和源极S,另一个电极为栅极G。 结型场效应晶体管的源极和漏极在结构上具有对称性,可以互换使用。若测得场效应晶体管某两极之间的正、反向电阻值为0或为无穷大,则说明该管已击穿或已开路损坏。 2.检测其放大能力 用万用表R×100档,红表笔接场效应管的源极S,黑表笔接其漏极D,测出漏、源极之间的电阻值RSD后,再用手捏信栅极G,万用表指针会向左或右摆动(多数场效应管的RSD会增大,表针向左摆动;少数场效应管的RSD会减小,表针向右摆动)。只要表针有较大幅度的摆动,即说明被测管有较大的放大能力。 (二)双栅场效应晶体管的检测 1.电极的判别 大多数双栅场效应晶体管的管脚位置排列顺序是相同的,即从场效应晶体管的底部(管体的背面)看,按逆时针方向依次为漏极D、源极S、栅极G1和栅极G2。因此,只要用万用表测出漏极D和源极S,即可找出两个栅极。 检测时,可将万用表置于R×100档,用两表笔分别测任意两引脚之间的正、反向电阻值。当测出某两脚之间的正、反向电阻均为几十欧姆至几千欧姆(其余各引脚之间的电阻值均为无穷大),这两个电极便是漏极D和源极S,另两个电极为栅极G1和栅极G2。 2.估测放大能力 用万用表R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,在测量漏极D与源极S之间的电阻值RSD的同时,用手指捏住两个栅极,加入人体感应信号。若加入人体感应信号后,RSD的阻值由大变小,则说明该管有一定有放大能力。万用表指针向右摆越大,说明其放大能力越强。 3.判断其好坏 用万用表R×10档或R×100档,测量场效应晶体管源极S和漏极D之间的电阻值。正常时,正、反向电阻均为几十欧姆至几千欧姆。且黑表笔接漏极D、红表笔接源极S时测得的电阻值较黑表笔接源极S、红表笔接D时测得的电阻值要略大一些。若测得D、S极之间的电阻值为0或为无穷大,则说明该管已击穿损坏或已开路损坏。用万用表R×10k档,测量其余各引脚(D、S之间除外)的电阻值。正常时,栅极G1与G2、G1与D、G1与S、G2与D、G2与S之间的电阻值均应为无穷大。若测得阻值不正常,则说明该管性能变差或已损坏。 (三)VMOS大功率场效应晶体管的检测 1.判别各电极与管型 用万用表R×100档,测量场效应晶体管任意两引脚之间的正、反向电阻值。其中一次测量中两引脚的电阻值为数百欧姆,这时两表笔所接的引脚为源极S和漏极D,而另一引脚为栅极G。 再用万用表R×10k档测量两引脚(漏极D与源极S)之间的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值为2kΩ左右,反向电阻值大于500kΩ。 在测量反向电阻值时,红表笔所接引脚不动,黑表笔脱离所接引脚后,先与栅极G触碰一下,然后再去接原引脚,观察万用表读数的变化情况。若万用表读数由原来较大阻值变为0,则此红表笔所接的即是源极S,黑表笔所接为漏极D。用黑表笔触发栅极G有效,说明该管为N沟道场效应管。若万用表读数仍为较大值,则黑表笔接回原引脚不变,改用红表笔去触碰栅极G后再接回原引脚,若此时万用表读数由原来阻值较大变为0,则此时黑表笔接的为源极S,红表笔接的是漏极D。用表红笔触发栅极G有效,说明该管为P沟道场效应晶体管。 2.判别其好坏 用万用表R×1k档或R×10k档,测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。正常时,除漏极与源极的正向电阻值较小外,其余各引脚之间(G与D、G与S)的正、反向电阻值均应为无穷大。若测得某两极之间的电阻值接近0Ω,则说明该管已击穿损坏。 另外,还可以用触发栅极(P沟道场效应晶体管用红表笔触发,N沟道场效应管用黑表笔触发)的方法来判断场应管是否损坏。若触发有效(触发栅极G后,D、S极之间的正、反向电阻均变为0),则可确定该管性能良好。 3.估测其放大能力 N沟道VMOS场效应晶体管,可用万用表(R×1k档)的黑表笔接源极S,红表笔接漏极D,此时栅极G开路;万用表指示电阻值较大。再用手指接触栅极G,为该极加入人体感应信号。若加入人体感应信号后,万用表指针大幅度地偏转,则说明该管具有较强的放大能力。若表针不动或偏转幅度不大,则说明该管无放大能力或放大能力较弱。 应该注意的是,此检测方法对少数内置保护二极管的VMOS大功率场效应晶体管不适用。 (520101)
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