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1.选择运放
根据以上条件,选用低失调电压、小偏置电流的FET输入型运放uPC811。这种运放的偏置电流约200uA,当输入阻抗为10k时,输出失调电压为10k×200uA=2mV,其电路如图1。如果运放的偏置电流较大,则可如图2那样,在同相输入端与地端之间接入一个电阻,其值为R1和R2的并联值,也可降低输出失调电压。 2.选择电阻 增益与电阻值的关系为K=R2/R1,因K=1,故R2=R1,可取值为10k。在增益确定的情况下,电阻值究竟取大一些或小一些更好? 假设R2=R1=100M,增益仍为1倍(见图3),但会出现以下缺点: ●输出失调电压增高。如上所述,200uA的输入偏置电流流经R2,会输出200uAx100MO=20V的失调电压。 ●印板设计困难。面对100M的高阻抗,印刷电路因漏电或湿度增大使绝缘电阻降低,均会对电路性能造成影响;同时分布电容也会增大影响而在输出端出现异常波形;甚至用手靠近电路板也会令输出波形晃动,必须将电路屏蔽起来。 ●再也不能忽视运放输入偏置电流、印刷电路间泄漏电流、二极管(在运放输入端接入保护二极管时)反向漏电流的影响。 ●R2和R1交点A与地间的电容Cin(运放输入电容和印刷电路分布电容之和)和两个100M电阻并联值构成的低通滤波器,其截止频率低,容易引起振荡,需要加入防振电容Cf,但这又会使电路的频率特性降低。 ●输出噪声增加。可见电阻值选太大是不适合的。 义假设R2=R1=10Ω,增益仍是1倍(见图4),但由于在无负反馈时运放的输出阻抗约100Ω,在负反馈端施加的反馈电压因反馈电阻仅10Ω而太低,将造成直流漂移增大和频率特性下降。
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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
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