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该电路依靠TTL开关门限调节电压。U1A和U1B形成振荡器，其开关频率<1MHz。振荡器的输出驱动三个并联的反相器U1C，U1D和U1E，可提供较高的输出电流和输出功率。其内部输出晶体管、L1和D1形成标准的升压转换器，当其输出为低时，电流只流过电感L1；当其输出变高时，储存在电感中的能量迫使D1的阳极变高，D1导通对C1充电。
U1F监视输出电压在反馈电阻R1和R2上的分压，当C1两端电压超过12V时，U1F的输入超过TTL逻辑门限（约1.2V），U1F输出变低，禁止电压继续上升；当输出电压降落低于1.2V时，U1F关闭再次允许振荡器驱动开关电源。 该电路线路和负载特性优于1%，在0℃～50℃范围内输出电压变化只有7%。 要求使用集电极开路的7406六反相器，该反相器可输出30V、40mA，所以三个并联可驱动120mA的开关峰值电流。 
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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
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