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本电路提供一种可用直流电源驱动大多数小型日光灯的方法。 初始时，Q1发射极驱动MOSFETQ2的栅极变高，使Q2导通。这时变压器初级线圈T1表现为一只电感，电流在电感中逐步斜升。当T1、Q2中通过的电流上升到0.62/RS安培时(设计值约1A)，Q3就导通。把Q1基极及Q4栅极电位拉向地电位，导致可编程单结晶体管Q4触发，这时Q4表现为一只可控硅并迅速驱动Q2的栅极为零。这时，存储在T1初级线圈中的能量便转向次级线圈，使日光灯受激。这时Q4仍维持原状，直至T1将其能量全部释放给日光灯为止。此时T1中产生的反向电流流回Q2的体二极管，导致Q2的栅级略负，因Q2有分布电容存在，Q4的阳极因而也变负，Q4截止，Q2再次导通，开始下一周的振荡。
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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
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