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AAT2842采用无铅、4x4mm、28引脚TQFN44封装，额定工作温度范围是-40℃到+85℃.内置两个高性能LDO，每一个LDO可在200mV电压差下提供一个高达200mA的连续负载电流。当两个LDO在与电荷泵相同的输入电压（2.7V到5.5V）下运行时，可通过一个“允许”输入端进行控制。每个LDO的输出电压采用用户可调设计，它通过一个外接电阻分压器，可在1.2V到5V内变化。LDO仅消耗85uA的静态电流，带有一个强电流三重模式的电荷泵，能够驱动多达4个背光LED，可为每个LED提供高达30mA的电流。还可以通过调节背光电流输出，来驱动用于键盘背光等应用中具有较低电流的LED。此外，在用于闪光功能时，该电荷泵可驱动多达4个LED，总电流高达600mA。
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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
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