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AP2213采用TO-252-2和SOIC-8两种封装, 工作电流100uA时输入输出压降典型值仅为15mV；在工作电流50mA时输入输出压差典型值为110mV；在工作电流100mA时输入输出压差典型值为140mV；在工作电流300mA时输入输出压差典型值为250mV；在工作电流500mA时输入输出压差典型值仅为350mV，可承受最高达18V的工作电压。芯片内置控制启动电路、能隙电压基准电路，比较误差放大电路及热保护和限流保护电路。经由控制电路的逻辑控制，其可在高电平（或是高电位）时可以启动芯片工作；能隙电压基准电路提供了芯片内部低温度系数参考基准电压1.25V；比较误差放大电路通过输出电压的取样与内部基准电压的比较，可以调整驱动管，使输出电压稳定；而热保护和限流保护电路则保证芯片在异常状态下不受损。
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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
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