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EMI7008LSMI该器件是8Mb串行访问的SRAM存储芯片,内部组织为1024K字,每个8位。该器件采用先进的CMOS技术进行设计和制造,以提供高速性能和低功耗。该器件使用单芯片选择(/CS)输入进行操作,并通过与SPI兼容的简单串行接口进行访问。单个数据输入和数据输出线与时钟一起使用以访问该设备内的数据。该设备包括一个/HOLD引脚,该引脚允许在不取消选择该设备的情况下暂停与该设备的通信。暂停时,除/CS引脚外的输入跳变将被忽略。该器件可在-40°C至+85°C(工业级)的温度范围内工作。
特征: •SPI总线接口: -兼容SPI -SDI(双)和SQI(四)兼容 -所有模式的时钟频率均为50MHz •低功耗CMOS技术: -读取电流:50MHz时为22mA(典型值) -深度睡眠模式电流:1mA(典型值) •无限的读写周期 •1Mx8位组织 •用于读取和写入的字节和顺序模式 •支持的温度范围: -工业(I):-40°C至+85°C •符合RoHS •8引线SOP封装(2.08mil) 引脚封装 SDI模式和SQI模式操作 与兼容的主设备一起使用时,该设备还支持SDI(串行双接口)和SQI(串行四接口)操作模式。要进入SDI模式,必须输入ESDI命令(3Bh)。按照SDI操作模式的惯例,每个时钟使用SIO0和SIO1引脚输入两位。位首先以MSB时钟输入。要进入SQI模式,必须输入ESQI命令(38h)。对于SQI操作模式,每个时钟输入4位数据,或者每个时钟输入1个半字节。半字节首先由MSB提供时钟。 要退出SDI模式,必须发出RSTDQI命令(FFh)。必须在当前设备配置(SDI模式或SQI模式)中输入命令。 |
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