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CS5266E是一款采用CMOS工艺,电容式升压型GF类单声道音频功放,可以为4Ω的负载提供最高5.2W的连续功率;CS5266E芯片内部固定的28倍增益,有效的减少了外围元器件的数量,外围全贴片阻容器件应用可以尽量减少外围占板面积,并降低手工插件带来的成本上升;功放集成了D类和AB类两种工作模式即可保证D类模式下强劲的功率输出,又可兼顾系统在有FM的情况下,消除功放对系统的干扰;CS5266E具有独特的防破音(NCN)功能,可根据输出信号的大小自动调整功放的增益,实现更加舒适的听觉感受. CS5266E的外围可应用低成本全贴片的阻容器件,在以锂电池供电的移动式音频设备中,CS5266E是理想的音频子系统的功放解决方案.CS5266E的全差分架构和极高的 PSRR有效地提高了CS5266E对RF噪声的抑制能力。另外CS5266E内置了过流保护和过热保护,有效的保护芯片在异常的工作条件下不被损坏。 CS5266E提供了ESOP10的封装类型,其额定的工作温度范围为-40℃至85℃。 集成Charge Pump升压模块,集成AB类D类两种工作模式 GF类音频功放,输入电压范围∶2.7~5.5V关断电流∶ <1μA待机电流∶ 20mA@5V, D类调制频率∶ 350KHz,防破音模式开关,AERC专利技术,提供优异的全带宽EMI抑制能力,优异的"噼噗-咔嗒"(pop-noise)杂音抑制能力,高的电源抑制比(PSRR)∶在217Hz下为-80dB,过温保护,过压保护。 |
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