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`SiC材料与目前应该广泛的Si材料相比，较高的热导率决定了其高电流密度的特性，较高的禁带宽度又决定了SiC器件的高击穿场强和高工作温度。其优点主要可以概括为以下几点：
1) 高温工作 SiC在物理特性上拥有高度稳定的晶体结构，其能带宽度可达2.2eV至3.3eV，几乎是Si材料的两倍以上。因此，SiC所能承受的温度更高，一般而言，SiC器件所能达到的最大工作温度可到600 ºC。 2) 高阻断电压 与Si材料相比，SiC的击穿场强是Si的十倍多，因此SiC器件的阻断电压比Si器件高很多。 3) 低损耗 一般而言，半导体器件的导通损耗与其击穿场强成反比，故在相似的功率等级下，SiC器件的导通损耗比Si器件小很多。且SiC器件导通损耗对温度的依存度很小，SiC器件的导通损耗 随温度的变化很小，这与传统的Si器件也有很大差别。 4) 开关速度快 SiC的热导系数几乎是Si材料的2.5倍，饱和电子漂移率是Si的2倍，所以SiC器件能在更高的频率下工作。 综合以上优点，在相同的功率等级下，设备中功率器件的数量、散热器的体积、滤波元件体积都能大大减小，同时效率也有大幅度的提升。 在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。 由SiC制作的MOSFET耐压高，或者在同样的耐压要求下，MOSFET的尺寸就小，从而大大降低了MOS管的导通电阻和传热热阻。 使用SiC制作的MOSFET在近期在大功率、高电压、高频率应用越来越广泛。 AST科技有限公司专注于第三代半导体碳化硅（SiC）MOS芯片设计、功率模块的生产制造及其基于SiC器件在新能源领域的应用系统开发方案，公司拥有全自主知识产权，已申请25项专利技术，采用6英寸技术已量产20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET产品，并建立起车规级的SiC MOS模块工厂，可为客户提供整套应用解决方案。 ` 
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