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CS8591E适用于移动式内置扬声器的便携式音频设备.在 7.5电源供电情况下,可以为4Ω的负载提供6.0W的连续功率。CS8591E采用桥接负载结构在提供高品质音频功率放大的同时,大大减少了外部元件数,无需外接输出耦合电容和自举电容。CS8591E内置待机电路,当SD管脚接高电平时,整个电路工作在待机模式,待机电流不超过100nA。 CS8591E内置了杂音消除电路,可以消除芯片启动和关断过程中的咔嗒声或噼噗声。还可以通过外接电阻来调节增益。CS8591E内置了过热保护,有效的保护芯片在异常的工作条件下不被损坏。CS8591E提供了纤小的ESOP8封装形式,额定的工作温度范围为-40℃至85℃。 优异的"噼噗-咔嗒"(pop-noise)杂音抑制能力,优异的低噪抑制功能,工作电压范围∶3.0V到7.5V,高电源抑制比(PSRR)∶在217Hz下为72dB,快速的启动时间 (200ms),低静态电流 (5mA),低关断电流(< 0.1μA),过流保护,短路保护和过热保护,符合Rohs标准的无铅封装。 |
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