手机充电器工作原理是什么

　　最近一直忙着公司的新产品试生产，解决产品老化过程中的发热导致产品自动保护问题，最后使用温度测量仪，发现高温源是芯片内部，在老化过程中，产品外表壳温度在 80°C 左右，摸着很烫手；内部温度最高可达到 120°C，经过对电流检测脚位的参数修正，终于将外部温度稳定在 30°C 左右，内部温度稳定在 50°C 左右；初步解决了这个问题。
　　昨天翻看公众号，好多留言过期，所以没办法一一回复了，只能说抱歉了，不过我看到比较多的是想要知道如何进行电源维修，还有就是电源工作的原理时序。
　　所以今天就将其中一个朋友发过来的充电器原理图来进行简单的讲解一下。
　　图纸如下所示：
　　
　　留言说这是一款华为的充电器线路图纸，输入电压为 110V~240V；50Hz/60Hz；输出 5V&2A。
　　从上图我们可以看到，这个充电器是采用反激式结构，主芯片采用 FAN104 系类控制器，控制器的脚位如下图所示：
　　
　　其中：
　　第 1 脚 CS 为电流检测脚位，这个脚要外教诶一个检测电阻，用于检测在恒压调节中进行峰值电流模式控制的 MOS 管电流，另一个功能是在恒流调节中进行输出电流调节。
　　第 2 脚为 PWM 信号输出脚，采用图腾柱输出驱动器，用于驱动功率 MOS。
　　第 3 脚为电源供电，主要就给给芯片进行供电，一般我们要接一个滤波电容。
　　第 4 脚为补偿脚，我们一般就是在这个脚和 GND 之间接电容和电阻，用于补偿恒压调节中，因为输出导线损耗而导致的电压降落。
　　第 5 脚为电压检测脚，这个脚是用来检测输出电压和放电时间，以此对恒压和恒流进行调节。
　　第 6 脚为 GND。
　　第 7 脚为 NC 空脚。
　　第 8 脚为直流高压，主要功能就是将外部高压直流母线经过高压电流源转换成工作电压 VDD。
　　首先市电经 F1 输入，经过 DR1 过压保护和共模电感扼流圈 L1 后，输送给 DB1 进行全波整流；高压电容 C1、C2 与电感 L3 构成π型滤波电路，贴片磁阻 L2 用于滤除差模干扰。直流母线通过电阻 R4 连接到芯片的第 8 脚 HV。
　　刚上电瞬间，内部高压电流源启动，经过芯片内部转换，对 VDD 外接的电容 C9 进行充电操作，当 C9 电压达到芯片开启条件时，转换机制自动停止禁用。
　　芯片开启后，由 2 脚输出一个脉冲方波，脉冲方波经过 R5 后，输送给 MOS 管的栅极，当脉冲方波处于上升沿时，MOS 管导通，变压器的 1、2 脚有电流流过，电流方向为上正下负，由于变压器为反激式，所以输出端感应到电压为上负下正，输出二极管 VD4 截止，能量存储在变压器的绕组中。
　　当脉冲方波处于下降沿时，MOS 管截止，变压器中的电感极性进行翻转，变为上负下正，二次侧感应到上正下负，二极管导通，将变压器中的能量对负载进行释放。
　　那我们在维修时，首先检查保险管，MOS 管有没有开路和击穿，如果确认没有问题后，上电时，首先测量整流桥后的直流高压是否准确，接着测量芯片第 8 脚电压是否正常，然后就是 VDD 电压，如果这些都是正常的，那我们接下来就是采用示波器，抓取第 2 脚输出脚 GTAE 是否有输出方波，假设正常情况下，那我们就要看一下二次侧的电压是处于什么状态，是完全没有反应或者是处于保护状态，这个我们可以用示波器触发模式来抓取输出端的详情。
　　我们之前维修时，有老师傅教了一个比较常用的招数，就是化整为零，将线路断开成各个模块，然后按照时序逐个模块测量是否工作正常，这种方式我个人感觉非常的实用，可以避免引发电源的二次伤害。
　　我们举个例子，就拿上面那副图，我们可以断开 R4 来测量整流后电压是否正常，可以断开 R5 来测量芯片输出波形是否正常，诸如此类的。