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通常来说外部电源为 FPGA 或者 CPLD 内部和外部正常工作提供电能源。实施电源方案时,设计人员应该明确知道这些供电电源 ( 也称为“轨式电源” ) 的总功率。而且,和器件外部消耗的总功率相比,设计人员还需要考虑器件内部实际消耗的总功率 ( 称为“热功率”或者“耗散功率” ) ,例如,外部输出电容负载和平衡电阻匹配网络的功耗。
FPGA 使用的电源类型 FPGA电源要求输出电压范围从 1.2V 到 5V,输出电流范围从数十毫安到数安培。可用三种电源:低压差(LDO)线性稳压器、开关式 DC-DC 稳压器和开关式电源模块。最终选择何种电源取决于系统、系统预算和上市时间要求。 如果电路板空间是首要考虑因素,低输出噪声十分重要,或者系统要求对输入电压变化和负载瞬变做出快速响应,则应使用 LDO 稳压器。LDO 功效比较低(因为是线性稳压器),只能提供中低输出电流。输入电容通常可以降低 LDO 输入端的电感和噪声。LDO 输出端也需要电容,用来处理系统瞬变,并保持系统稳定性。也可以使用双输出 LDO,同时为 VCCINT 和 VCCO 供电。 如果在设计中效率至关重要,并且系统要求高输出电流,则开关式稳压器占优势。开关电源的功效比高于 LDO,但其开关电路会增加输出噪声。与 LDO 不同,开关式稳压器需利用电感来实现 DC-DC 转换。 FPGA 的特殊电源要求 为确保正确上电,内核电压 VCCINT 的缓升时间必须在制造商规定的范围内。对于一些FPGA,由于 VCCINT 会在晶体管阈值导通前停留更多时间,因此过长的缓升时间可能会导致启动电流持续较长时间。如果电源向 FPGA 提供大电流,则较长的上电缓升时间会引起热应力。ADI 公司的 DC-DC 稳压器提供可调软启动,缓升时间可以通过外部电容进行控制。缓升时间典型值在 20ms 至 100ms 范围内。 许多 FPGA 没有时序控制要求,因此 VCCINT、VCCO 和 VCCAUX 可以同时上电。如果这一点无法实现,上电电流可以稍高。时序要求依具体 FPGA 而异。对于一些 FPGA,必须同时给 VCCINT 和 VCCO 供电。对于另一些 FPGA,这些电源可按任何顺序接通。多数情况下,先给 VCCINT 后给 VCCO 供电是一种较好的做法。 当 VCCINT 在 0.6V 至 0.8V 范围内时,某些 FPGA 系列会产生上电涌入电流。在此期间,电源转换器持续供电。这种应用中,因为器件需通过降低输出电压来限制电流,所以不推荐使用返送电流限制。但在限流电源解决方案中,一旦限流电源所供电的电路电流超过设定的额定电流,电源就会将该电流限制在额定值以下。 |
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FPGA 功耗分析
外部电源为 FPGA 或者 CPLD 内部和外部正常工作提供电能源。实施电源方案时,设计人员应该明确知道这些供电电源 ( 也称为“轨式电源” ) 的总功率。而且,和器件外部消耗的总功率相比,设计人员还需要考虑器件内部实际消耗的总功率 ( 称为“热功率”或者“耗散功率” ) ,例如,外部输出电容负载和平衡电阻匹配网络的功耗。 器件、输出负载、外部匹配网络 ( 如果有 ) 的总功耗通常包括以下几部分: 待机功耗 动态功耗 I/O 功耗 待机功耗来自器件待机模式下的 ICCINT 电流。内核动态功耗来自器件内部开关 ( 内部节点电容冲放电 )。 I/O 功耗来自外部开关 ( 和器件引脚连接的外部负载电容冲放电 )、 I/O 驱动和外部匹配网络 ( 如果有 ) 。 热功耗是器件封装内部实际消耗总功率的一部分,其余部分在外部耗散掉。设计人员在确定器件本身热传导能力 ( 称为热阻 ) 能否满足内部管芯结温正常工作要求时,或者需要铝热沉等其他散热方案来实现更好的热传导性能时,应该考虑器件内部的实际热功耗。一般而言,待机功耗、动态功耗以及部分 I/O 功耗组成了总功耗中的实际热功耗。 1. 待机功耗 由于泄漏电流的存在,器件在待机时也会消耗能量。待机功耗随管芯大小、温度以及工艺的变化而变化。可以利用器件特征参数来模拟待机功耗,并定义为两类:典型功耗和最大功耗。 Stratix® II 器件使用 90 nm 工艺技术,对功耗和性能进行了优化。和前一工艺技术的器件相比,90 nm 器件由于泄漏导致静态功耗增大,对总功耗有很大的影响。 90 nm 工艺节点的待机功耗比以前的工艺技术更依赖于管芯结温。设计人员应重视降低结温,以便降低总功耗的待机功耗。下面的图 1 是待机功耗和结温的关系。 2. 动态功耗 内部节点改变逻辑状态时会消耗器件内部动态功耗,因为它需要能量对逻辑阵列和互联网络的内部电容进行冲放电 ( 例如,从逻辑 0 变到逻辑 1) 。内核动态功耗包括导线功耗和逻辑单元 (LE) 功耗 ( 或者 Stratix II 的自适应逻辑模块 (ALM))。 LE/ALM 功耗来自内部节点电容冲放电以及内部电阻单元的电流。导线功耗来自每个 LE/ALM 驱动外部导线电容时的冲放电电流。内核动态功耗主要来自以下结构单元: RAM 模块 (M512、 M4K 和 M-RAM) DSP 乘法器模块 锁相环 (PLL) 时钟树网络 高速差分接口 (HSDI) 收发器 上面列出的每个单元结构总电流之和与 VCCINT (Stratix II 为 1.2V) 相乘得到动态总功耗: 动态功耗 = VCCINT × Σ ICCINT (LE/ALM, RAM, DSP, PLL, Clocks, HSDI, 导线 ) 得到多个电容之和后,采用等价 ( 集总 ) 电容值计算动态功耗。例如,信号驱动输入或者输出时,对引脚、走线和封装电容求和。如果明确了内部开关频率,这一近似方法是足够的。 Altera 利用近似曲线 ( 基于特征数据 ) 来确定内部开关频率,有效地估算大部分设计拓扑的动态功耗。估算器件资源的总功耗时,应考虑资源的最大开关频率、估算的触发因子、下游逻辑扇出,以及通过器件特征参数获得的资源系数等。 Altera 的 PowerPlay 功耗分析和优化工具包考虑了所有这些因素进行功耗估算和分析。 3、IO 功耗 I/O 功耗是 VCCIO 功耗,主要来自器件输出引脚连接的外部负载电容、阻抗模式输出驱动电路以及外部匹配网络 (如果有) 的冲放电电流。器件 I/O 功耗按下式计算: I/O power 功耗 = (有源输出驱动数 × 功耗系数) +0.5 × (管芯、封装走线、引脚和输出负载电容之和) ×I/O 标准电压摆幅 × fMAX × (触发因子 /100) × VCCIO 有源输出驱动数包括有源双向输出。除了上面计算的 I/O 功耗,还有其他因素影响 I/O 功耗,包括同时由 VCCIO 供电的 I/O 缓冲单元。下面的图 2 是 I/O 缓冲模型。 如前所述, FPGA 或者 CPLD 内部要实际消耗一部分 VCCIO 功耗,外部匹配电阻网络以及输出电容负载消耗了另一部分能量。设计人员在规划散热管理方案时,应考虑 VCCIO 的内部功耗 ( 器件本身或者通过外部热沉) 。作为 VCCIO 电压稳压器和转换器 ( 指轨式电源 ) 输出功率的一部分,设计人员应考虑外部功率组成。 4. 其他功耗要求 设计 FPGA 和 CPLD 时,设计人员还应该考虑和总功耗有关的其他几个因素:浪涌电流、配置功耗以及 VCCPD( 仅对 Stratix II) 。 4.1 浪涌电流 浪涌电流是器件初始化上电时的电流。在上电阶段,必须为器件提供最低逻辑阵列电流 (ICCINT) ,并维持一段时间。这一持续时间取决于电源提供的电流大小。如果电流较大, VCCINT 能够迅速上升。当电压达到额定值的 90%时,一般不再需要最初的大电流。最大浪涌电流和器件温度成反比。随着器件温度的提高,上电浪涌电流下降 ( 而待机电流会随着温度提高而增大 ) 。 4.2 配置功耗 对于普通的 FPGA ,配置功耗是配置器件时消耗的能量。在配置和初始化阶段,器件需要能量来复位寄存器,使能 I/O 引脚,进入工作模式。上电阶段, I/O 引脚在配置前以及配置期间为三态,以降低功耗,防止在这段时间驱动输出。 |
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