[问答]

MOS管的半导体结构和工作机制

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 MOS 管的半导体结构 MOS 管的工作机制 0
2020-12-30 07:57:04　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × fywyesfw 该类别下有 2 个回答。邀请回答 CHENYUHENG 该类别下有 2 个回答。邀请回答 nywerwe2 该类别下有 2 个回答。邀请回答 mvueurtwd 该类别下有 2 个回答。邀请回答 chengh72 该类别下有 2 个回答。邀请回答 yweyerwq 该类别下有 2 个回答。邀请回答 gaheun 该类别下有 1 个回答。邀请回答 ljfdllwq 该类别下有 1 个回答。邀请回答云雨泪痕该类别下有 1 个回答。邀请回答 60user76 该类别下有 1 个回答。邀请回答 testd018 该类别下有 1 个回答。邀请回答醉狼工作室该类别下有 1 个回答。邀请回答 evpt 该类别下有 1 个回答。邀请回答 h1654155958.0154 该类别下有 1 个回答。邀请回答 Cdxxgcdx 该类别下有 1 个回答。邀请回答不废江河万古流该类别下有 1 个回答。邀请回答想变胖的瘦子该类别下有 1 个回答。邀请回答 60user190 该类别下有 1 个回答。邀请回答 77uufuwr 该类别下有 1 个回答。邀请回答迷人hero 该类别下有 1 个回答。邀请回答举报向芹相关推荐 • MOS管是怎么工作的？ 2595 • 半导体芯片内部结构是由哪些部分组成的 8100 • 什么是MOS管？mos管具有什么特点？ 2756 • 半导体激光二极管TOLD9211是如何工作的 4359 • 功率半导体模块的发展趋势如何？ 4574 • 半导体有源元件二极管、三极管、FET的基础知识 2021 • 什么是基于SiC和GaN的功率半导体器件？ 9506 • 半导体工艺几种工艺制程介绍 10384 • 半导体制冷片的工作原理是什么？ 19209 • 什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么 3520 2个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 MOS 管的半导体结构作为半导体器件，它的来源还是最原始的材料，掺杂半导体形成的 P 和 N 型物质。那么，在半导体工艺里，如何制造 MOS 管的？这就是一个 NMOS 的结构简图，一个看起来很简单的三端元器件。具体的制造过程就像搭建积木一样，在一定的地基（衬底）上依据设计一步步“盖”起来。 MOS 管的符号描述为：

2020-12-30 14:15:44 评论举报李瑜斌

答案对人有帮助，有参考价值 0 MOS 管的工作机制以增强型 MOS 管为例，我们先简单来看下 MOS 管的工作原理。由上图结构我们可以看到 MOS 管类似三极管，也是背靠背的两个PN结！三极管的原理是在偏置的情况下注入电流到很薄的基区通过电子-空穴复合来控制CE之间的导通，MOS 管则利用电场来在栅极形成载流子沟道来沟通DS之间。如上图，在开启电压不足时，N区和衬底P之间因为载流子的自然复合会形成一个中性的耗尽区。给栅极提供正向电压后，P区的少子（电子）会在电场的作用下聚集到栅极氧化硅下，最后会形成一个以电子为多子的区域，叫反型层，称为反型因为是在P型衬底区形成了一个N型沟道区。这样DS之间就导通了。下图是一个简单的MOS管开启模拟：这是MOS管电流Id随Vgs变化曲线，开启电压为1.65V。下图是MOS管的IDS和VGS与VDS 之间的特性曲线图，类似三极管。下面我们先从器件结构的角度看一下MOS管的开启全过程。 1、Vgs 对MOS 管的开启作用一定范围内 Vgs》Vth，Vds《Vgs-Vth，Vgs 越大，反型层越宽，电流越大。这个区域为 MOS 管的线性区（可变电阻区）。即： Vgs 为常数时，Vds 上升，Id 近似线性上升，表现为一种电阻特性。 Vds 为常数时，Vgs 上升，Id 近似线性上升，表现出一种压控电阻的特性。即曲线左边 2、Vds对MOS管沟道的控制当 Vgs》Vth，Vds《Vgs-Vth 时，分析同上曲线左侧，电流Id随Vds上升而上升，为可变电阻区。当 Vds》Vgs-Vth 后，我们可以看到因为DS之间的电场开始导致右侧的沟道变窄，电阻变大。所以电流Id增加开始变缓慢。当Vds增大一定程度后，右沟道被完全夹断了！此时DS之间的电压都分布在靠近D端的夹断耗尽区，夹断区的增大即沟道宽度W减小导致的电阻增大抵消了Vds对Id的正向作用，因此导致电流Id几乎不再随Vds增加而变化。此时的D端载流子是在强电场的作用下扫过耗尽区达到S端！这个区域为 MOS 管的恒流区，也叫饱和区，放大区。但是因为有沟道调制效应导致沟道长度 L 有变化，所以曲线稍微上翘一点。重点备注：MOS 管与三极管的工作区定义差别三极管的饱和区：输出电流 Ic 不随输入电流 Ib 变化。 MOS 管的饱和区：输出电流 Id 不随输出电压 Vds 变化。 3、击穿 Vgs 过大会导致栅极很薄的氧化层被击穿损坏。 Vds 过大会导致D和衬底之间的反向PN结雪崩击穿，大电流直接流入衬底。

2020-12-30 14:19:37 评论举报周蕊