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全新原装IRFB4227PBF海飞乐技术深圳仓现货 【MOS管参数】 开启电压 VT 开启电压 （又称阈值电压） ：使得源极 S 和漏极 D 之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的 N 沟道 MOS 管， VT 约为 3～6V ； ·通过工艺上的改进，可以使 MOS 管的 VT 值降到 2～3V。 直流输入 电阻 RGS 即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS 管的 RGS 可以很容易地超过 1010Ω。 导通电阻 RON 导通电阻 RON 说明了 VDS 对 ID 的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区， ID 几乎不随 VDS 改变， RON 的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间 ·由于在数字电路中 ，MOS 管导通时经常工作在 VDS=0 的状态下，所以这时的导通电阻 RON 可用原点的 RON 来近似·对一般的 MOS 管而言， RON 的数值在几百欧以内 【MOS开关管损失】 不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，因而在DS间流过电流的同时，两端还会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧，几十毫欧左右 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。降低开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。 `
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