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全新原装IRFB4227PBF深圳现货

2020-12-11 17:43:41 697

0 ` 全新原装IRFB4227PBF海飞乐技术深圳仓现货【MOS管参数】开启电压 VT 开启电压（又称阈值电压）：使得源极 S 和漏极 D 之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的 N 沟道 MOS 管， VT 约为 3～6V ； ·通过工艺上的改进，可以使 MOS 管的 VT 值降到 2～3V。直流输入电阻 RGS 即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS 管的 RGS 可以很容易地超过 1010Ω。导通电阻 RON 导通电阻 RON 说明了 VDS 对 ID 的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区， ID 几乎不随 VDS 改变， RON 的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间 ·由于在数字电路中，MOS 管导通时经常工作在 VDS=0 的状态下，所以这时的导通电阻 RON 可用原点的 RON 来近似·对一般的 MOS 管而言， RON 的数值在几百欧以内【MOS开关管损失】不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，因而在DS间流过电流的同时，两端还会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧，几十毫欧左右 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。降低开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-12-11 17:43:41　　评论淘帖0 举报相关推荐 • IRFB4227PBF代换料SVT20240NT参数规格书 0 • 全新原装IRFB38N20DPBF深圳现货 503 • 全新原装IRF6645TR1PBF深圳现货 606 • IRFB4227PBF TO-220替代料200v mos管SVT20240NT 士兰微MOS代理 1143 • IRFB3806PbF,FET的功率MOSFET 10 • 全新原装IRFP064NPBF深圳现货 453 • 全新原装IR2010STRPBF深圳现货 325 • 全新原装IRS2092STRPBF深圳现货 1114 • IRFP4227PBF功率晶体管的特性及应用 11597 • 5962-1320201VXC全新原装现货 921