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【MOS管主要参数】 1.开启电压 VT 开启电压 (又称阈值电压) :使得源极 S 和漏极 D 之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的 N 沟道 MOS 管, VT 约为 3~6V ; ·通过工艺上的改进,可以使 MOS 管的 VT 值降到 2~3V。 2. 直流输入 电阻 RGS 即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS 管的 RGS 可以很容易地超过 1010Ω。 3. 漏源击穿电压 BVDS 在 VGS=0 (增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使 ID 开始剧增时的 VDS 称为漏源击穿电压 BVDS ·ID 剧增的原因有下列两个方面:(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿(2)漏源极间的穿通击穿·有些 MOS 管中,其沟道长度较短, 不断增加 VDS 会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通, 穿通后, 源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的 ID ` |
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