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【MOS管主要参数】 栅源击穿 电压 BVGS 在增加栅源电压过程中,使栅极电流 IG 由零开始剧增时的 VGS ,称为栅源击穿电压BVGS 。 低频跨导 gm 在 VDS 为某一固定数值的条件下 ,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导·gm 反映了栅源电压对漏极电流的控制能力·是表征 MOS 管放大能力的一个重要参数·一般在十分之几至几 mA/V 的范围内。 导通电阻 RON · 导通电阻 RON 说明了 VDS 对 ID 的影响 ,是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区, ID 几乎不随 VDS 改变, RON 的数值很大,一般在几十千欧到几百千欧之间 ·由于在数字电路中 ,MOS 管导通时经常工作在 VDS=0 的状态下,所以这时的导通电阻 RON 可用原点的 RON 来近似·对一般的 MOS 管而言, RON 的数值在几百欧以内 极间电容 三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容 CGS 、栅漏电容 CGD 和漏源电容 CDS ·CGS 和 CGD 约为 1~3pF ·CDS 约在 0.1~1pF 之间 低频噪声系数 NF 噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的·由于它的存在,就使一个放大器即便在没有信号输人时,在输出端也出现不规则的电压或电流变化·噪声性能的大小通常用噪声系数 NF 来表示,它的单位为分贝( dB ) ·这个数值越小,代表管子所产生的噪声越小·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数·场效应管的噪声系数约为几个分贝,它比双极性三极管的要小。 ` |
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