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STM32掉电时发现，sram里的变量会变，例如有个变量fault=3，在掉电的过程中，fault会变为零。为了解决这个问题，我使用了掉电检测，发现PVD0在掉电的时候也会变来变去，一回为0一回为1。大家遇到过这个问题没有，怎么解决。
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如果想要变量在掉电时保存，则必须要在掉电前把变量先存到片内FLASH或者片外FLASH（W25QXX）或者片外EEPROM（如AT24C02）里面； PWR和BKP时钟记得开了吗？RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR | RCC_APB1Periph_BKP, ENABLE); 掉电检测时PVD0不应该变来变去的，你查一下Vdda的电压是否正确，实验证明Vdda连着的电压修改为2.5V时能得到想要的结果。 |
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建议把不想掉电擦除的数据存储在外部存储器flash，eeprom等等
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SRAM本身就是掉电掉数据的，要想保存数据，需要将数据存入EEPROM或者flash中
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電壓開始降低時候,就會造成MCU不正常工作,所以PVD0您要確保ISR觸發是正確設置且啟用狀態
SRAM上的變數一定不會保存的,所以您可以在PVD0觸發的ISR中即時保存數據到Flash中 以上供參考 |
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SRAM掉电清零这是硬件就这么设定的，你要想掉电恢复的话就要写到flash
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云汉达人
恭喜楼主又发现新大陆了，开玩笑啦！首先sram是什么应该不用说了吧，百度一下便知道，而他本身就是掉电不能保存数据的，所以掉电后变量值变成了0也不奇怪，因为掉电后程序 又重新从头开始初始化了，如果要让变量实现掉电存储，可以利用MCU内部backup SRAM(掉电后由RTC电池供电)，但是如果没有接RTC电池的话，你也可以将参数保存到片内FLASH中，或者外接FLASH存储芯片，上电后从FLASH中读取参数。下面帮你搜集了几份资料，仅供参考！ stm32Flash模拟eeprom心得(原创) STM32-读写-EEPROM-24C02方法 STM32系统保存参数到eeprom的实现方法 |
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