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晶体管在高温下，按道理增益会更高，但实际中，我们却发现电路的指标在高温下却变差，是什么原因？？

2020-6-17 19:57:49 1761

0 比如，对于接收机，接收通路上由晶体管设计的LNA电路做信号放大，在高温环境下，按道理，此时晶体管的载流子会更活跃，晶体管的放大能力会更强，那它输出的放大增益更大，这样通路的增益更高，对接收灵敏度应该会由提升，但实际上，高温下，接收灵敏度反而降低了；相反，在低温下，接收灵敏度反而更高，这个时什么原因？（其实对于集成的PA也有类似的现象，PA本身也是由一些基本的晶体管放大电路组成，对于晶体管来说，高温下，增益应该更高，那么集成的PA在高温下也应该更高，但实际上，我们发现在高温下，模组的输出增益反而降低了，那么也就意味着PA的输出增益降低了；相反，在低温下，模组的输出功率反而增加了，这个时什么原因呢？） 0
2020-6-17 19:57:49　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 在高温度下运行应用中如何选择MCU 7050 • 在温暖或高温下实现电池放电 0 • 请问HMC830高温下失锁是什么原因？ 3056 • 碳化硅SiC在高温环境下的表现 538 • 伺服电机在高温环境下可能会出现哪些问题？ 1795 • 碳化硅在高温下能与氧发生反应吗？ 2822 • 半导体器件在高温环境下的可靠性 1391 • 电容传感器在高温条件下的研究应用 8 • 《晶体管电路设计（下）》 1703 • 晶体管电路设计(下) 10685 1 个讨论

0 1.半导bai体器件对温度最敏感。在高du温条件下，晶体管的H F E 随温度升高而增大，从而引起zhi工dao作点漂移、增益不稳，造成电子仪器性能不稳定，产生漂移失效； 2.由于温度升高，使晶体管I c b o、I c e o 反向电流增大，又会使I c 电流增大。I c 增大又促使晶体I c b o、I ceo、I c 电流增加，形成恶性循环，直到晶体管烧毁，使仪器造成严重失效； 3.晶体管在低温下工作，h F E 将随温度的降低而减。在低温- 5 5 ℃条件下，一般晶体管的增益平均下降4 0 % 左右，有一些器件失去了放大能力，有一些器件造成致命失效； 4.过高温度对电容器的影响，主要是降低使用寿命，当环境温度超过电容器的允许工作温度时，硬度电容工作点，温度每升1 0 ℃，电容器的使用寿命就要降低一半。

2020-6-18 09:33:06 评论举报 1^# 99714836