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14个回答
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可以，R2电压不太大就行。按原理图，R2=10m欧，10A时候 V=0.1V，对单片机来说，电压太小。
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G极连接单片机IO口只有 低和高两个状态
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单片机高电平Q1导通时，由于源极S串联取样电阻，这样NMOS管漏极D的压降还是比较高。Q1工作在线性放大状态，而不是饱和状态，门极有干扰会被放大。
如取样电阻很小，不是说不可测电流，而是不好。 |
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是的，所以我尽量减小采样电阻阻值，准备用0.01R，电流3A左右，压降增加很小，问题不大
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如果电流有3A，选择 Si2302 非常勉强，市场上只有很少几家型号为 Si2302 的电流可以达到3A以上。建议改用更大电流的MOS管。
而且能满足3A输出的 2302，一般要求此时 Vgs > 4.5V，如果MCU是3.3V电源，有严重的前面提及的非完全导通风险 |
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UC38XX电路当中的电流保护电路就是这个样的
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本帖最后由 jh***p 于 2020-6-16 08:59 编辑
关键要看Ｇ极的开关信号电压，如果是直接从ＭＣＵ来，不经过电压变换，用这样的电流采样很难做好。最好从ＭＣＵ出来的开关信号变换成高电压（如12Ｖ）再控制ＭＯＳ管。 |
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可以，但在不会影响mos开通状况下，完全能够满足。
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我觉得 可以，关键是要设计好参数。电阻的大小，实际上的电压电流要充分考虑下。
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AD监测经过一级运放放大，然后到单片机AD
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