[问答]

关于NMOS/PMOS在开关电路中应用的问题

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 最近做的东西中需要考虑功耗问题，所以考虑使用MOS管的开关电路关掉不需要工作的部分。其中有一块是需要用MSP430单片机内置ADC采集一个电阻分压得到的电压信号。其中ADC的参考源也是由分压得到的，于是设计了图中图1的结构。但是有如下顾虑，希望用过的或者了解的朋友能给指点一二问题1：图1中Temp是ADC通道输入引脚，图2是ADC参考电压的输入脚，如果我通过控制栅极关闭NMOS管，是不是电流依然会走这两个引脚导致降低功耗的目的失败？？？（单片机自带ADC使能功能，程序中在采集结束后已经关闭该模块）如果不能实现，是不是我要采用图3的PMOS方式才可以实现我降低功耗的目的？问题2：假如使用PMOS进行控制，需要在CTRL上输出高电平，此时VCC和CTRL间是否会存在电流？问题3：我看有的资料说场效应管的开关电路里栅极处串联的1K限流电阻在转换速率低的时候并没什么作用，而10K的上下拉电阻是必要的，如果不加会导致栅极浮空出现误通断的可能性，请问这个说法有道理吗？（我这个通断转换速率特别低，是不是就不用加1K电阻了）另外这两个电阻的大小有什么说法吗？量级大概要怎么判断？图里的值是借鉴资料上的…… 最后有个不太重要的小问题，我还在一个资料上看到了图4的接法，请问这个限流电阻在里面和在外面有什么区别呢？ 2 QQ图片20190418223120.jpg (7.56 MB, 下载次数: 26)
2019-4-18 23:02:09　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × 张程明该类别下有 100 个回答。邀请回答 jf_50240986 该类别下有 84 个回答。邀请回答 shaorc 该类别下有 73 个回答。邀请回答 Music 该类别下有 72 个回答。邀请回答 leetow2006 该类别下有 64 个回答。邀请回答王尚岱该类别下有 43 个回答。邀请回答 CCCLLL 该类别下有 41 个回答。邀请回答 mintsy 该类别下有 39 个回答。邀请回答梅利号该类别下有 38 个回答。邀请回答 wp2010abc 该类别下有 36 个回答。邀请回答河神大人该类别下有 33 个回答。邀请回答熊本熊该类别下有 33 个回答。邀请回答硬件工程师1 该类别下有 32 个回答，其中被选为最佳答案 1 次。邀请回答哔哔哔- 该类别下有 32 个回答。邀请回答奇牙虎威该类别下有 31 个回答。邀请回答 Duke 该类别下有 28 个回答。邀请回答谢新貌该类别下有 27 个回答。邀请回答 chunhuahua 该类别下有 27 个回答。邀请回答 siyugege 该类别下有 27 个回答。邀请回答最强海贼王该类别下有 26 个回答。邀请回答举报王月菊相关推荐 • 基于PMOS的高速开关电路求教 5879 • NMOS管与PMOS管有哪些不同 5046 • MOS管整流电路中的NMOS和PMOS的区别是什么？ 7132 • NMOS与PMOS的电流流向是怎样的 3715 • 请问这个电路可作为开关电路使用吗？ 14720 • NMOS驱动电路的特性有哪些呢 1403 • 关于NMOS高端输出的设计问题 4600 • 电荷泵改进型CMOS模拟开关电路设计如何实现？ 1765 • 单片机项目设计中常用的NMOS+PMOS控制电路是什么？ 1539 • NMOS管开关电路可以用电阻采样低边电流吗？ 6741 2个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 1.我个人觉得这种方式是可以实现低功耗的，但是要注意关闭单片机的ADC时要把Vref也同时关闭，没有电流通路就没有功耗 2.PMOS应该是VGS负压导通即栅极低电平，这肯定有功耗的，因为低电平就是单片机内部MOS管导通到地 3.实际使用中一般限流电阻和上下拉电阻都是需要的，浮空状态不稳定是有一定道理的，因为MOS管本身的导通是栅极和源极的电容充电效应，电位升高到阈值使得MOS管导通，有可能因为感应电荷或者电荷积聚导致导通的，这个电阻的值需要根据阈值，举个例子假设VGS要求最大-10V，而VCC 15V，你不配置下电阻的话很可能导致栅源电容击穿损坏MOS管，而限流和上拉都用10K则VGS是7.5V保护了MOS 4.参考3的思路看下

2019-4-19 09:26:50 1 评论举报安亚垒 1 条评论王月菊 2019-4-19 10:29 万分感谢！！！问题1里主要是我不确定关闭ADC参考后那个引脚是否依然接地导致有电流经过，按照手册说明那个脚只有INPUT功能，而且ADC模块里没有详细画他的结构只说有一个4选1的选择器来判断用内部还是外部电压当做参考源。问题2里我想关注的是控制脚输出高电平时会不会有漏电流的存在，因为大部分时间是处于关断状态，导通时有电流是自然的啦时间短应该可以接受…… 问题3大概了解了我准备用电池供电低压的3伏应该不用限流吧……只要有上拉或者下拉保证栅极不浮空就好了～赞回复举报

答案对人有帮助，有参考价值 0 问题1：用NMOS需要注意栅极电压是否高于VCC，否则应该是关不断的。建议用PMOS实现功能，这样也不需要考虑IC端那边会不会存在一个漏电流了，但是ADC会存在一个PMOS的RDS的分压误差。还有你的这个分压1.5K 1K是否电流有点太大了。参考设计是这样吗。问题2：VCC和CTRL如果电平一致不会有，不一致会有漏电流。所以想要避免建议再加个三极管控制栅极最好问题3：那个电阻选择只有在做高速开关管才会有选型要求，你这种不需要考虑，MOS管属于压控器件，所以10K你改成1M就行，1K电阻可以省去，但是还是建议你加个523封装的带偏置的三极管控制栅极吧。

2019-4-19 11:59:37 5 评论举报 mz_l 5 条评论王月菊 2019-4-19 12:14 好的好的多谢解答～分压电阻中1K那个是铂电阻改不了啊…… 所以想用场效应管关掉它赞回复举报 mz_l 回复王月菊： 2019-4-19 12:20 MOS管选型选择RDS小的，AD转换把这部分分压考虑进去。赞回复举报王月菊 2019-4-19 12:17 另外不是说三极管很耗电吗再上三极管合适吗？赞回复举报 mz_l 回复王月菊： 2019-4-19 14:02 这个只加在你的栅极做控制，只多了个Ib的电流和偏置电流而已。而且如果CTRL低于VCC，导致任何情况下CTRL-VCC<VGSth,你也关不断PMOS。赞回复举报王月菊回复 mz_l： 2019-4-20 10:04 好的~ 我再查一下这方面的原理图赞回复举报