「ALIENTEK 阿波罗 STM32F767 开发板资料连载」第四十二章 FLASH 模拟 EEPROM 实验

1）实验平台：alientek 阿波罗 STM32F767 开发板
2）摘自《STM32F7 开发指南(HAL 库版)》关注官方微信号公众号，获取更多资料：正点原子


第四十二章 FLASH 模拟 EEPROM 实验
STM32F767 本身没有自带 EEPROM，但是 STM32F767 具有 IAP（在应用编程）功能，所
以我们可以把它的 FLASH 当成 EEPROM 来使用。本章，我们将利用 STM32F767 内部的 FLASH
来实现第三十三章实验类似的效果，不过这次我们是将数据直接存放在 STM32F767 内部，而
不是存放在 W25Q256。本章分为如下几个部分：
42.1 STM32F767 FLASH 简介
42.2 硬件设计
42.3 软件设计
42.4 下载验证
42.1 STM32F767 FLASH 简介
不同型号的 STM32F7xx 芯片，其 FLASH 容量也有所不同，有 1MB/2MB 等不同容量的产
品。阿波罗 STM32F767 开发板选择的 STM32F767IGT6 的 FLASH 容量为 1024K 字节（1MB），
STM32F767IGT6 的闪存模块组织如表 42.1.1 所示：


表 42.1.1 STM32F767IGT6 闪存模块组织
STM32F767IGT6 的闪存模块由：主存储器、系统存储器、OPT 区域和选项字节等 4 部分
组成。
主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。它可以分为 1 个 Bank
或者 2 个 Bank，可以通过选项字节的 nDBANK 位来设置，默认是一个 Bank 的，表 42.1.1 所
示即单 Bank 的闪存组织结构。关于双 Bank 的详细设置，请参考《STM32F7xx 参考手册》第 3
章的相关内容。本章我们仅以单 Bank 做介绍。
在单 Bank 模式下，STM32F767 的主存储器被分为 8 个扇区，前 4 个扇区为 32KB 大小，
第五个扇区是 128KB 大小，剩下的 3 个扇区都是 256KB 大小，总共 1M 字节。
因为 STM32F7 的 FLASH 访问路径有两条：AXIM 和 ITCM，对应不同的地址映射，表中
我们列出了这两条不同访问路径下的扇区地址范围。我们一般选择 AXIM 接口访问 FLASH，
其主存储器的起始地址就是 0X08000000。
系统存储器，这个主要用来存放 STM32F767 的 bootloader 代码，此代码是出厂的时候就固
化在 STM32F767 里面了，专门来给主存储器下载代码的。当 B0 接 V3.3，默认从系统存储器启
动。
OTP 区域，即一次性可编程区域，共 1056 字节，被划分为 16 个 64 字节的 OTP 数据块和
1 个 16 字节的 OTP 锁定块。OTP 数据块和锁定块均无法擦除。锁定块中包含 16 字节的
LOCKBi (0≤i≤15)，用于锁定相应的 OTP 数据块（块 0 到 15）。每个 OTP 数据块均可编程，
除非相应的 OTP 锁定字节编程为 0x00。锁定字节的值只能是 0x0 和 0xFF，否则这些 OTP 字
节无法正确使用。
闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。
在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正
确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。
闪存的读取
为了准确读取 Flash 数据，必须根据 CPU 时钟 (HCLK) 频率和器件电源电压在 Flash
存取控制寄存器 (FLASH_ACR) 中正确地设置等待周期数 (LATENCY)。Flash 等待周期与
CPU 时钟频率之间的对应关系，如表 42.1.2 所示：



表 42.1.2 CPU 时钟（HCLK）频率对应的 FLASH 等待周期表
等待周期通过 FLASH_ACR 寄存器的 LATENCY[3:0]四三个位设置。系统复位后，CPU 时
钟频率为内部 16M RC 振荡器，LATENCY 默认是 0，即 1 个等待周期。供电电压，我们一般
是 3.3V，所以，在我们设置 216Mhz 频率作为 CPU 时钟之前，必须先设置 LATENCY 为 7，即
8 个等待周期，否则 FLASH 读写可能出错，导致死机。
正常工作时（216Mhz），虽然 FLASH 需要 8 个 CPU 等待周期，但是由于 STM32F767 具
有自适应实时存储器加速器(ART Accelerator)，通过指令缓存存储器，预取指令，实现相当于 0
FLASH 等待的运行速度。
STM23F7 的 FLASH 读取是很简单的。例如，我们要从地址 addr，读取一个字（一个字为
32 位），可以通过如下的语句读取：
data=*(vu32*)addr;
将 addr 强制转换为 vu32 指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了 addr 地址的值。
类似的，将上面的 vu32 改为 vu8，即可读取指定地址的一个字节。相对 FLASH 读取来说，
STM32F767 FLASH 的写就复杂一点了，下面我们介绍 STM32F767 闪存的编程和擦除。
闪存的编程和擦除
执行任何 Flash 编程操作（擦除或编程）时，CPU 时钟频率 (HCLK)不能低于 1 MHz。如
果在 Flash 操作期间发生器件复位，无法保证 Flash 中的内容。
在对 STM32F767 的 Flash 执行写入或擦除操作期间，任何读取 Flash 的尝试都会导致总线
阻塞。只有在完成编程操作后，才能正确处理读操作。这意味着，写/擦除操作进行期间不能从
Flash 中执行代码或数据获取操作。
STM32F767 的闪存编程由 7 个 32 位寄存器控制，他们分别是：
 FLASH 访问控制寄存器(FLASH_ACR)
 FLASH 秘钥寄存器(FLASH_KEYR)
 FLASH 选项秘钥寄存器(FLASH_OPTKEYR)
 FLASH 状态寄存器(FLASH_SR)
 FLASH 控制寄存器(FLASH_CR)
 FLASH 选项控制寄存器(FLASH_OPTCR)
 FLASH 选项控制寄存器 1(FLASH_OPTCR1)
STM32F767 复位后，FLASH 编程操作是被保护的，不能写入 FLASH_CR 寄存器；通过写
入特定的序列（0X45670123 和 0XCDEF89AB）到 FLASH_KEYR 寄存器才可解除写保护，只
有在写保护被解除后，我们才能操作相关寄存器。
FLASH_CR 的解锁序列为：
1， 写 0X45670123 到 FLASH_KEYR
2， 写 0XCDEF89AB 到 FLASH_KEYR
通过这两个步骤，即可解锁 FLASH_CR，如果写入错误，那么 FLASH_CR 将被锁定，直
到下次复位后才可以再次解锁。
STM32F767 闪存的编程位数可以通过 FLASH_CR 的 PSIZE 字段配置，PSIZE 的设置必须
和电源电压匹配，见表：42.1.2：



表 42.1.2 编程/擦除并行位数与电压关系表
由于我们开发板用的电压是 3.3V，所以 PSIZE 必须设置为 10，即 32 位并行位数。擦除或
者编程，都必须以 32 位为基础进行。
STM32F767 的 FLASH 在编程的时候，也必须要求其写入地址的 FLASH 是被擦除了的（也
就是其值必须是 0XFFFFFFFF），否则无法写入。STM32F767 的标准编程步骤如下：
1，检查 FLASH_SR 中的 BSY 位，确保当前未执行任何 FLASH 操作。
2，将 FLASH_CR 寄存器中的 PG 位置 1，激活 FLASH 编程。
3，针对所需存储器地址（主存储器块或 OTP 区域内）执行数据写入操作：
—并行位数为 x8 时按字节写入（PSIZE=00）
—并行位数为 x16 时按半字写入（PSIZE=01）
—并行位数为 x32 时按字写入（PSIZE=02）
—并行位数为 x64 时按双字写入（PSIZE=03）
4，等待 BSY 位清零，完成一次编程。
按以上四步操作，就可以完成一次 FLASH 编程。不过有几点要注意：1，编程前，要确保
要写如地址的 FLASH 已经擦除。2，要先解锁（否则不能操作 FLASH_CR）。3，编程操作对
OPT 区域也有效，方法一模一样。
我们在 STM32F767 的 FLASH 编程的时候，要先判断缩写地址是否被擦除了，所以，我们
有必要再介绍一下 STM32F767 的闪存擦除，STM32F767 的闪存擦除分为两种：扇区擦除和整
片擦除。
扇区擦除步骤如下：
1，检查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解锁，如果没有则先解锁
2，检查 FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位，确保当前未执行任何 FLASH 操作
3，在 FLASH_CR 寄存器中，将 SER 位置 1，并从主存储块的 12 个扇区中选择要擦除的
扇区 (SNB)
4，将 FLASH_CR 寄存器中的 STRT 位置 1，触发擦除操作
5，等待 BSY 位清零
经过以上五步，就可以擦除某个扇区。本章，我们只用到了 STM32F767 的扇区擦除功能，
整片擦除功能我们在这里就不介绍了，想了解的朋友可以看《STM32F7 中文参考手册》第 3.3.6
节。
通过以上了解，我们基本上知道了 STM32F767 闪存的读写所要执行的步骤了，接下来，
我们看看与读写相关的寄存器说明。
第一个介绍的是 FLASH 访问控制寄存器：FLASH_ACR。该寄存器各位描述如图 42.1.2
所示：



图 42.1.2 FLASH_ACR 寄存器各位描述
这里，我们重点看 LATENCY[3:0]这四个位，这四个位，必须根据我们 MCU 的工作电压
和频率，来进行正确的设置，否则，可能死机，设置规则见表 42.1.2。其他 ARTEN（使能 ART
加速）和 PRFTEN（预取使能）这两个位也比较重要，为了达到最佳性能，这两个位我们一般
都设置为 1 即可。
第二个介绍的是 FLASH 秘钥寄存器：FLASH_KEYR。该寄存器各位描述如图 42.1.3 所示：



图 42.1.3 FLASH_KEYR 寄存器各位描述
该寄存器主要用来解锁 FLASH_CR，必须在该寄存器写入特定的序列（KEY1 和 KEY2）
解锁后，才能对 FLASH_CR 寄存器进行写操作。
第三个要介绍的是 FLASH 控制寄存器：FLASH_CR。该寄存器的各位描述如图 42.1.4 所
示：


图 42.1.4 FLASH_CR 寄存器各位描述
该寄存器我们本章只用到了它的 LOCK、STRT、PSIZE[1:0]、SNB[3:0]、SER 和 PG 等位。
LOCK 位，该位用于指示 FLASH_CR 寄存器是否被锁住，该位在检测到正确的解锁序列后，
硬件将其清零。在一次不成功的解锁操作后，在下次系统复位之前，该位将不再改变。
STRT 位，该位用于开始一次擦除操作。在该位写入 1 ，将执行一次擦除操作。
PSIZE[1:0]位，用于设置编程宽度，3.3V 时，我们设置 PSIZE =2 即可。
SNB[3:0]位，这 4 个位用于选择要擦除的扇区编号，取值范围为 0~15。
SER 位，该位用于选择扇区擦除操作，在扇区擦除的时候，需要将该位置 1。
PG 位，该位用于选择编程操作，在往 FLASH 写数据的时候，该位需要置 1。
FLASH_CR 的其他位，我们就不在这里介绍了，请大家参考《STM32F7 中文参考手册》
第 3.7.5 节。
最后要介绍的是 FLASH 状态寄存器：FLASH_SR。该寄存器各位描述如图 42.1.5 所示：



图 42.1.5 FLASH_SR 寄存器各位描述
该寄存器我们主要用了其 BSY 位，当该位位 1 时，表示正在执行 FLASH 操作。当该位为
0 时，表示当前未执行任何 FLASH 操作。
关于 STM32F767 FLASH 的介绍，我们就介绍到这。更详细的介绍，请参考《STM32F7
中文参考手册》第三章。下面我们讲解使用 STM32F7 的官方固件库操作 FLASH 的几个常用函
数。这些函数和定义分布在源文件 stm32f7xx_hal_flash.c/stm32f7xx_hal_flash_ex.c 以及头文件
stm32f7xx_hal_flash.h/stm32f7xx_hal_flash_ex.h 中。
1）锁定解锁函数
上面讲解到在对 FLASH 进行写操作前必须先解锁，解锁操作也就是必须在 FLASH_KEYR
寄存器写入特定的序列（KEY1 和 KEY2）,HAL 库实现很简单：
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);//解锁函数
同样的道理，在对 FLASH 写操作完成之后，我们要锁定 FLASH，使用的 HAL 库函数是：
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void);//锁定函数
2）写操作函数
HAL 库提供了一个通用的 FLASH 写操作函数 HAL_FLASH_Program，该函数声明如下：
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address,
uint64_t Data);//FLASH 写操作函数
该函数有三个入口参数。入口参数 TypeProgram 用来区分要写入的数据类型，取值为：
FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE（字节：8 位），FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD（半
字 ： 16
位 ） ， FLASH_TYPEPROGRAM_WORD （ 字 ： 32
位）和
FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD（双字：64 位），用户根据写入数据类型选择即可。
第二个入口参数 Address 用来设置要写入数据的 FLASH 地址。第三个入口参数 Data 顾名思义
就是要写入的数据类型，这个参数默认是 64 位的，如果你要写入小于 64 位的数据比如 16 位，
程序会进行类型转换。
3）擦除函数
HAL 库提供的擦除函数在 stm32f7xx_hal_flash_ex.c 中定义。和编程函数一样，HAL 提供
了一个通用的基于小区擦除的函数 HAL_FLASHEx_Erase，该函数声明如下：
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit,
uint32_t *SectorError);
该函数有 2 个 入 口 参 数 ， 这 里 我 们 主 要 看 第 一 个 入 口 参 数 pEraseInit ，它是
FLASH_EraseInitTypeDef 结构体指针类型，结构体 FLASH_EraseInitTypeDef 定义如下：
typedef struct
{
uint32_t TypeErase;
//擦除类型
#if defined (FLASH_OPTCR_nDBANK)
uint32_t Banks;
//擦除的 Bank 编号
#endif
uint32_t Sector;
//擦除的 sector 号
uint32_t NbSectors;
//擦除的 sector 数量
uint32_t VoltageRange;
//电压范围
} FLASH_EraseInitTypeDef;
成员变量 TypeErase 用来设置擦除类型，是 Sector 擦除还是 BANK 级别的批量擦除，取值
为 FLASH_TYPEERASE_SECTORS 或者 FLASH_TYPEERASE_MASSERASE，这个比较好理
解 ， 如 果 是 一 次 擦 除 一 个 Bank 下 面 的 所 有 Sector ， 那 么 需 要 选 择
FLASH_TYPEERASE_MASSERASE。成员变量 Banks 用来设置要擦除的 Bank 编号，这个只有
设置为批量擦除的时候才有效。成员变量 Sector 用来设置要擦除的 Sector 编号。成员变量
NbSectors 用来设置要擦除的 Sector 数量。成员变量 VoltageRange 用来设置电压范围，一共有
四个值可选 FLASH_VOLTAGE_RANGE_1~ FLASH_VOLTAGE_RANGE_4，分别对应表 41.1.2
的电压范围，这里我们使用的是 3.3V，所以选择 FLASH_VOLTAGE_RANGE_3 即可。
扇区擦除的实例代码如下：
FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS; //擦除类型，扇区擦除
FlashEraseInit.Sector=3;
//擦除的扇区号
FlashEraseInit.NbSectors=1; //一次只擦除一个扇区
FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3; //电压范围 2.7~3.6V
HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError);//进行扇区擦除操作
4）等待操作完成函数
在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正
确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。所以在每次操作之前，
我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。HAL 库函数为：
HAL_StatusTypeDef FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);
该函数在 HAL 库中很多地方用到，比如擦除函数 HAL_FLASHEx_Erase 中在对 FLASH 进
行擦除操作后会调用该函数，等待擦除操作完成。
5）读 FLASH 特定地址数据函数
有写就必定有读，而读取 FLASH 指定地址的数据的函数固件库并没有给出来，这里我们
提供从指定地址一个读取一个字的函数：
u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
{
return *(vu32*)faddr;
}
42.2 硬件设计
本章实验功能简介：开机的时候先显示一些提示信息，然后在主循环里面检测两个按键，
其中 1 个按键（KEY1）用来执行写入 FLASH 的操作，另外一个按键（KEY0）用来执行读出
操作，在 LCD 模块上显示相关信息。同时用 DS0 提示程序正在运行。
所要用到的硬件资源如下：
1） 指示灯 DS0
2） KEY1 和 KEY0 按键
3） LCD 模块
4） STM32F767 内部 FLASH
本章需要用到的资源和电路连接，在之前已经全部有介绍过了，接下来我们直接开始软件
设计。
42.3 软件设计
打开 FLASH 模拟 EEPROM 实验工程可以看到，工程的 HARDWARE 分组下新添加了源文
件 stm32flash.c，同时包含了对应的头文件 stm32flash.h。同时我们还引入了 HAL 库 flash 操作
源 文 件
stm32f7xx_hal_flash.c/stm32f7xx_hal_flash_ex.c
和 头 文 件
stm32f7xx_hal_flash.h/stm32f7xx_hal_flash_ex.h。
打开 stmflash.c 文件，代码如下：

//读取指定地址的字(32 位数据)
//faddr:读地址
//返回值:对应数据.
u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
{
return *(__IO uint32_t *)faddr;
}
//获取某个地址所在的 flash 扇区
//addr:flash 地址
//返回值:0~11,即 addr 所在的扇区
uint16_t STMFLASH_GetFlashSector(u32 addr)
{
if(addr else if(addr else if(addr else if(addr else if(addr else if(addr   else if(addr return FLASH_SECTOR_7;
}
//从指定地址开始写入指定长度的数据
//特别注意:因为 STM32F7 的扇区实在太大,没办法本地保存扇区数据,所以本函数
// 写地址如果非 0XFF,那么会先擦除整个扇区且不保存扇区数据.所以
// 写非 0XFF 的地址,将导致整个扇区数据丢失.建议写之前确保扇区里
// 没有重要数据,最好是整个扇区先擦除了,然后慢慢往后写.
//该函数对 OTP 区域也有效!可以用来写 OTP 区!
//OTP 区域地址范围:0X1FF0F000~0X1FF0F41F
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为 4 的倍数!!)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:字(32 位)数(就是要写入的 32 位数据的个数.)
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite)
{
FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK;
u32 SectorError=0;
u32 addrx=0;
u32 endaddr=0;
if(WriteAddr
HAL_FLASH_Unlock(); //解锁
addrx=WriteAddr; //写入的起始地址
endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4; //写入的结束地址

if(addrx<0X1FF00000)
{
while(addrx if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)
//有非 0XFFFFFFFF 的地方,要擦除这个扇区
{
FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS; //扇区擦除
FlashEraseInit.Sector=STMFLASH_GetFlashSector(addrx);//要擦除的扇区
FlashEraseInit.NbSectors=1; //一次只擦除一个扇区
FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;
//电压范围，VCC=2.7~3.6V 之间!!
if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError)!=HAL_OK)
{
break;//发生错误了
}
  SCB_CleanInvalidateDCache();//清除无效的 D-Cache
}else addrx+=4;
FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME); //等待上次操作完成
}
}
FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME); //等待上次操作完成
if(FlashStatus==HAL_OK)
{
while(WriteAddr {
if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,WriteAddr,
*pBuffer)!=HAL_OK)//写入数据
{
break; //写入异常
}
WriteAddr+=4;
pBuffer++;
}
}
HAL_FLASH_Lock(); //上锁
}
//从指定地址开始读出指定长度的数据
//ReadAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToRead:字(32 位)数
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead)
{
u32 i;
for(i=0;i {
pBuffer=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取 4 个字节.
ReadAddr+=4;//偏移 4 个字节. } }该文件代码，所调用的 HAL 库函数在 41.1 小节都已经详细讲解。这里我们重点介绍一下
STMFLASH_Write 函数，该函数用于在 STM32F7 的指定地址写入指定长度的数据，该函数的
实现基本类似第 32 章的 W25QXX_Flash_Write 函数，不过该函数使用的时候，有几个要注意
要注意：
1， 写入地址必须是用户代码区以外的地址。
2， 写入地址必须是 4 的倍数。
3， 对 OTP 区域编程也有效。
第 1 点比较好理解，如果把用户代码给擦除了，可想而知你运行的程序可能就被废了，从
而很可能出现死机的情况。不过，因为 STM32F767 的扇区都比较大（最少 32K，大的 256K），
所以本函数不缓存要擦除的扇区内容，也就是如果要擦除，那么就是整个扇区擦除，所以建议
大家使用该函数的时候，写入地址定位到用户代码占用扇区以外的扇区，比较保险。
第 2 点则是 3.3V 时，设置 PSIZE=2 所决定的，每次必须写入 32 位，即 4 字节，所以地址
必须是 4 的倍数。第 3 点，该函数对 OTP 区域的操作同样有效，所以大家要写 OTP 字节，也
可以直接通过该函数写入，不过注意 OTP 是一次写入的，无法擦除，所以，一般不要写 OTP
字节。
关于 STMFLASH_GetFlashSector 函数，这个就比较好理解了，根据地址确定其 sector 编号。
其他函数我们就不做介绍了。
在 STMFLASH_Write 函数里面，我们调用了 SCB_CleanInvalidateDCache 函数，用于回写
数据到 SRAM，并重新获取 D Cache 数据，如果去掉，将导致死循环。
对 于 头 文 件 stmflash.h ， 这 里 面 有 一 点 提 一 下 ， 就 是 我 们 定 义 了 从
ADDR_FLASH_SECTOR_0~ ADDR_FLASH_SECTOR_19 等一系列宏定义标识符，实际上这些
标识符的值就是对应的 sector 的起始地址值，相信也比较好理解。
最后我们打开 main.c 文件，代码如下：
//要写入到 STM32 FLASH 的字符串数组
const u8 TEXT_Buffer[]={"STM32 FLASH TEST"};
#define TEXT_LENTH sizeof(TEXT_Buffer)
//数组长度
#define SIZE TEXT_LENTH/4+((TEXT_LENTH%4)?1:0)
#define FLASH_SAVE_ADDR 0X08020000
//设置 FLASH 保存地址(必须为 4 的倍数，且所在扇区,要大于本代码所占用到的扇区.
//否则,写操作的时候,可能会导致擦除整个扇区,从而引起部分程序丢失.引起死机.
int main(void)
{
u8 key=0;
u16 i=0;
u8 datatemp[SIZE];
Cache_Enable();
//打开 L1-Cache
HAL_Init();
//初始化 HAL 库
Stm32_Clock_Init(432,25,2,9); //设置时钟,216Mhz
delay_init(216); //延时初始化
uart_init(115200);
//串口初始化
LED_Init();
//初始化 LED
KEY_Init(); //初始化按键
SDRAM_Init(); //初始化 SDRAM
LCD_Init(); //初始化 LCD
POINT_COLOR=RED;
LCD_ShowString(30,50,200,16,16,"Apollo STM32F4/F7");
LCD_ShowString(30,70,200,16,16,"FLASH EEPROM TEST");
LCD_ShowString(30,90,200,16,16,"ATOM@ALIENTEK");
LCD_ShowString(30,110,200,16,16,"2016/7/14");
LCD_ShowString(30,130,200,16,16,"KEY1:Write KEY0:Read");
while(1)
{
key=KEY_Scan(0);
if(key==KEY1_PRES) //KEY1 按下,写入 STM32 FLASH
{
LCD_Fill(0,170,239,319,WHITE);//清除半屏
LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"Start Write FLASH....");
STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR,(u32*)TEXT_Buffer,SIZE);
LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"FLASH Write Finished!");//提示传送完成
}
if(key==KEY0_PRES) //KEY0 按下,读取字符串并显示
{
LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"Start Read FLASH.... ");
STMFLASH_Read(FLASH_SAVE_ADDR,(u32*)datatemp,SIZE);
LCD_ShowString(30,170,200,16,16,"The Data Readed Is: ");//提示传送完成
LCD_ShowString(30,190,200,16,16,datatemp);//显示读到的字符串
}
i++;
delay_ms(10);
if(i==20)
{
LED0_Toggle;//提示系统正在运行
i=0;
}
}
}
主函数代码逻辑比较简单，当检测到按键 KEY1 按下后往 FLASH 指定地址开始的连续地
址空间写入一段数据，当检测到按键 KEY0 按下后读取 FLASH 指定地址开始的连续空间数据。
至此，我们的软件设计部分就结束了。
42.4 下载验证
在代码编译成功之后，我们通过下载代码到 ALIENTEK 阿波罗 STM32 开发板上，通过先
按 KEY1 按键写入数据，然后按 KEY0 读取数据，得到如图 42.4.1 所示：


图 42.4.1 程序运行效果图
伴随 DS0 的不停闪烁，提示程序在运行。本章的测试，我们还可以借助 USMART，调用：
TMFLASH_ReadWord 和 Test_Write 函数，大家可以测试下 OTP 区域的读写，注意：OTP 区域，
最后 16 字节，不要乱写！！是用于锁定 OTP 数据块的的！！
另外，OTP 的一次性可编程，也并不像字面意思那样，只能写一次。而是要理解成：只能
写 0，不能写 1。举个例子，你在地址：0X1FF0 F000，第一次写入 0X12345678。读出来，发
现是对的，和你写入的一样。而当你在这个地址，再次写入：0X12345673 的时候，再读出来，
变成了：0X12345670，不是第一次写入的值，也不是第二次写入的值，而是两次写入值相与的
值，说明第二次也发生了写操作。所以，要理解成：只能写 0，不能写 1。