请教IGBT器件场截止层、场板的原理和作用是什么

2020-2-20 14:26:40 6057

0 本人本科时学过一点模电，对微电子理解不深。请教几个IGBT领域的问题： 1、场截止层是如何起作用的：为什么加入场截止层之后需要的漂移区的厚度变薄而且还可以提高耐压？掺杂浓度较高的场截止层不是变相提升了漂移区的掺杂浓度从而降低耐压吗？ 2、为什么电场由三角形变为梯形可以只需较薄的漂移区就可以提升耐压？ 3、为什么单极型的MOSFET没有FS层，而双极型的FRD和IGBT都有用到场截止层？为什么场截止层可以在降低器件厚度的同时提升耐压？ 4、在其他的功率器件中经常听到“场板”这个概念，查了资料还是没搞懂，这个该怎么理解，和“场截止层”是一个概念吗？ 0 无标题.png (34.59 KB, 下载次数: 15)
2020-2-20 14:26:40　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 场截止阳极短路IGBT概述 35 • 新一代场截止阳极短路IGBT概述 2346 • 650V场截止IGBT 现代厨房技术分析 2146 • 场沟槽栅截止型IGBT FHA25T120A的特点 913 • igbt模块的作用是什么 10209 • 1200V沟槽栅场截止型IGBT终端设计_陈天 7 • 安森美半导体扩充高性能沟槽型场截止IGBT阵容 831 • 新650V场截止IGBT给感应加热应用领域注入光明前景 2088 • IGBT的作用是什么 80060 • IGBT器件的基本结构和作用 631 1 个讨论