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异步BUCK，功率器件为PMOS。采用以下驱动电路。PMOS参数：Qg=75nC，Ciss=6460pF，Coss=719pF，Crss=535pF 
PWM为来自控制器的3.3V驱动信号，MOSG接PMOS的栅极G。 PWM高电平时，Q2饱和导通，PNP管Q4饱和导通，从MOSG抽取电荷，PMOS导通。 PWM低电平时，Q2截止，输入电压一方面通过VIN->R7->R3->D3回路向MOSG注入电流，该回路电阻很大超过50k。 另一方面通过VIN->R7->C3->Q3使Q3饱和导通，Q3饱和导通以后，经过VIN->Q3->D3回路向MOSG注入电流，加快PMOS关断，这个回路电阻很低。 以上是原理简单分析，不准确的请指正。 测试过程中发现某些工况下PMOS的漏极（D）网络标号记为SW，关断信号异常，具体表现为关断时间大大延长，明显超过开通时间，按照设计，关断过程应该快于开通过程。 如下图，通道2为SW网络对GND电压，绿色的通道4为PMOS的栅极对地电压。明显可以看到通道2的下降沿，斜率明显低于上升沿。PMOS栅极关断时，电压在miller平台持续比较长的时间，然后以很慢的斜率继续上升。
进一步测试发现，示波器探针点Q3的发射极前后，MOSG的电压变化比较大，如下图所示：
通道4绿色为Q3的发射极电压，该波形正常，最高电压接近输入电压VIN=8V。 通道1黄色为示波器探针点Q3发射极时的MOSG网络电压，这个看起来是正常的。 通道R1为去掉示波器探针的MOSG网络电压。 仔细观察可以发现，通道1和R1波形，在进入miller平台之前，两个电压是完全重合的，miller电压平台结束之后，出现比较大的差异，通道1电压继续向VIN升高，而通道R1明显低于通道1. 初步怀疑是Q3在miller平台结束后，提前退出了饱和导通状态，不过没法测试，因为示波器探头点Q3的发射极e波形变正常了，如果点Q3的基极b，波形完全乱掉，甚至直接退出CCM状态进入DCM状态。 此外，示波器探头点Q2的集电极c，波形也会变正常。 很奇怪的现象，请做过的朋友帮忙看一下，谢谢。 
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11个回答
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2019-12-27 09:00:41
评论
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“另一方面通过VIN->R7->C3->Q3使Q3饱和导通，Q3饱和导通以后，经过VIN->Q3->D3回路向MOSG注入电流，加快PMOS关断，这个回路电阻很低。”这里分析是错的。
C3-R3-Q3：基极电流 VIN-Q3-D3：栅极泄放。 你的R3太大，没电流。 更多操作 |
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是不是元件性能指标不良所致
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Q4钳位了。再串二极管？
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你的Q4起到的是什么作用
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推挽驱动MOS管，只要3颗NPN加上1颗PNP和4~5颗电阻，二极管和电容不要，都比目前还省钱又可靠。目前MOS管缺少S丶G间的并联电阻。
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学习一下
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经典电路只要2个NPN+1二极管+1稳压管+2电阻，比你这个数量少，但是性能却好很多，楼主不妨尝试修改
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学习学习了！！！！！
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