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【高分奖励】电子老顽童：电路中Mosfet驱动问题讨论

硬件工程师1

2019-11-21 15:49:45 5574 MOSFET 12V 电路驱动器

1 看这两个电路，有两个问题： 1.都可以驱动Mosfet，分析两个电路的优缺点 2.假如将12V，替换成36V、48V甚至更高的电压，电路能否沿用?如不能，需要做哪些修改? Mosfet驱动问题讨论.pdf (79.72 KB, 下载次数: 252 ) 替换如下，讨论问题不变（ Mosfet驱动问题答复1.pdf (76.6 KB, 下载次数: 16 ) ） 2
2019-11-21 15:49:45　　 1 评论淘帖0 举报相关推荐 • 电子老顽童带你看懂电路设计那些事 9 • 【高手问答】电子老顽童带你看懂电路设计 95583 • buck电路中的mosfet管驱动问题 3361 • 电子老顽童：分享电子工程师的技术及职业进阶指南 2 • MOSFET驱动问题 2752 • 有关MOSFET驱动问题 2427 • 老顽童STM32开发板众筹汇报结果 5714 • 老顽童STM32开发板短路帽介绍 4895 • 电子老顽童：分享电子工程师的技术及职业进阶指南 16904 • 新手saber仿真关于mosfet及驱动问题 7166 1 条评论电子老顽童 2019-11-21 16:37 右边图少了个通路，看加在哪合适？赞回复举报 18 个讨论

0 提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

2019-11-21 15:55:06 评论举报 1^# 头像被屏蔽

0 截图太模糊了，看不清

2019-11-21 16:03:47 评论举报 2^# amitacai

0 楼上的，可以点击图片放大，或者下载文档，观看@amitacai

2019-11-21 16:13:35 评论举报 3^# 硬件工程师1

0 提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

2019-11-21 16:22:44 2 评论举报 4^# 头像被屏蔽 2 条评论电子老顽童 2019-11-21 21:26 啰嗦么？还好吧赞回复举报电子老顽童回复： 2019-11-22 10:19 电路当然要针对不同的运用场景做优化，我们这里主要分析讨论两个电路性能上的优缺点，至于适用不同电压值的灵活性不足，在上面两个电路中，仅仅只需要加入一个反馈回路，在一定电压范围内，是完全可以适用的；当然前提是要更换Mos管、三极管（更换其中一个就可以）赞回复举报

0 右边的图不能用，Q8导通时，烧坏Q5；Q8不导通时，Q5发射结悬空了，Q5不工作，Q10也不工作。

2019-11-21 16:22:52 2 评论举报 5^# lwh1 2 条评论电子老顽童 2019-11-21 21:28 有道理，需要怎么改善？两个电路有什么优缺点赞回复举报阿城138 2020-3-30 10:39 为什么会烧坏Q5？？？？赞回复举报

1 随便说说吧左图的Q9有电阻限流，右图Q10没有电阻限流，至于没限流实际会怎样我也没试过，理论上不好就是了（相当于短路了）。所以感觉左图优于右图至于说将12V换成更高的电压这个问题，必须要更换AO3400A。换个Vgs更大的，不然电压大于12V就有可能击穿Vgs，因为实际应用中炸过几次，哈哈

2019-11-21 16:24:35 1 评论举报 6^# keertan 1 条评论电子老顽童 2019-11-21 21:29 是的，相当于短路了，那需要如何来改善？两个电路有什么优缺点赞回复举报

0 有个疑**pwm为高电平时，右边的Q4会导通一下然后又关？提出一个疑问，望解答？ 1.png (115.81 KB, 下载次数: 39)*

2019-11-21 16:50:00 1 评论举报 7^# 任飞 1 条评论电子老顽童 2019-11-21 21:30 这是一个图腾柱电路，任何一个时刻，只有一个管子导通赞回复举报

0 那个10pF的电容是干嘛的？放哪不就是把MOS管的速度拉低了么，如果这个驱动低速还好，要是高速的话这应该是败笔。

2019-11-21 17:13:41 2 评论举报 8^# 奇怪的谎言 2 条评论电子老顽童 2019-11-21 21:32 Mosfet内部有寄生电容，这个10pf的电容，是破坏其震荡的条件，先预留位置，在实际使用中，看有没有需要赞回复举报

0 两图当中MOS管左侧电容压根不需要；右侧图片当中Q5集电极需要加个到地的电阻，阻值在10K左右；至于电压等级升高后两种三极管以及MOS管的耐压将无法承受

2019-11-21 22:20:26 5 评论举报 9^# 王栋春 5 条评论电子老顽童 2019-11-21 22:42 右边Q5集电极加电阻是需要的，还有一个地方有缺陷，改善之后，，两个电路有什么优缺点？赞回复举报王栋春回复电子老顽童： 2019-11-21 22:45 D2以及100欧电阻存在的意义感觉不大直接采用10欧电阻驱动MOS管完全可以的赞回复举报电子老顽童回复王栋春： 2019-11-22 01:16 D2以及100R电阻有存在的必要意义赞回复举报 h1654155916.650 回复王栋春： 2019-11-27 16:38 D2,R11,R13通过控制mos管开启和关断速度不同，既做到快速关断mos管又可以减小开启mos过快导致的EMI问题。是吧？@ARMLIUNX 赞回复举报王栋春回复 h1654155916.650： 2019-11-27 21:08 坛友分析的不错 D2以及100欧电阻是为了加速MOS管快速关断而加入的反向泄放回路赞回复举报

0 至于一个电路要在宽电压范围适用,则需要在电路中有恒流恒压电路,恒压主要用于场效应管栅极控制电压,如果说要设计一个比恒流二极管更省电的电路而使用多个元件情有可原. 这里高手云集我设计的一个电路至今无人褒贬,因此,似乎是班门弄斧了,在此也就纸上谈兵发自己看法而已,也是来学习的.

2019-11-22 09:56:13 2 评论举报 10^# h1654155280.5038 2 条评论 Duke 2019-11-22 10:17 电子老顽童来看看赞回复举报电子老顽童回复 Duke： 2019-11-22 10:53 后面我会上传关于这两个电路，当初在图纸设计时的一个考量，只是提供一种设计上的思路；个人观点，如有不对，还请见谅，不能一概而论的说这个、那个电路不好，每个电路性能都有其优缺点；在实际的应用场景中，选取最优的方案设计就好了；赞回复举报

0 MOS驱动的本质是给GS间电容充电，所以需要快速充电到开启电压，在关断的时候需要快速放电，按照这个需求分析电路即可。如果频率要求不高，就简单的推挽输出驱动就可以了，如果频率高了，在想办法加速开启和加速关断，网上很多关于米勒平台的分析，它关乎开关频率的限制，自己去网上搜很多驱动方案。另外在一些拓扑比如全桥应用中使隔离驱动，可以用变压器或者光耦隔离。

2019-11-22 13:22:41 2 评论举报 11^# 在家务农 2 条评论电子老顽童 2019-11-22 14:02 点个赞，，，赞 1 回复举报 Duke 回复电子老顽童： 2019-11-22 16:15 给在家务农点赞+1 赞回复举报

0 MOS驱动的是给GS间有电容，当上升沿时电容的存在，它不能由低电平，立刻变高电平，GS电容会有一个充电时间，获取高电平时间比较了，电容充电波形变宽，此时MOS管处于半导通状态，此时的RDS阻抗比导通要大，同时在大电压，大电流下，产生功耗（插入损耗），mos管会发烫，选型时，选取gs电容比较小的。

2019-11-23 21:58:59 评论举报 12^# 小吴

0 过来学习一下哦过来学习一下哦

2019-11-25 14:07:05 评论举报 13^# 朱夏生

0 这个写错了吧，q7是控制q6基极的电压，q7导通那基极0.2~.03，低电平，不应该是3.3v

2019-11-26 13:48:22 评论举报 14^# 硬件工程师1

0 MCU不能直接控制 Q6吗?不就是3.3控制12V驱动一个高压MOS吗

2019-11-26 13:49:24 1 评论举报 15^# h1654155275.5669 1 条评论电子老顽童 2019-11-26 15:59 可以，只是考虑到我板子的兼容性，和其他的逻辑状态是一致的赞回复举报

0 提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

2019-11-27 11:11:41 评论举报 16^# 头像被屏蔽

0 我来说一下，这个电路比较的画蛇添足，元件多，最主要的是Q3,Q9会不会有死区，肯定有，这一次没有，可能下次就有了，我估计你在十分钟内，如果做PWM调制的，这里面一定会挂，这个电路就是一个NMOS，在低压区，起开关作用的就是Vgs, 选用低Vgs的NMOS就可以解，AO3400就是个低电压型的， 0-0.4V可以关断， 1.1-3.3完全可以开通，加一个4.7K下拉就可以，完全不要画蛇添足一些驱动电路了

2019-11-27 12:32:40 评论举报 17^# 冯顺宁

0 mos管的电容不必要吧

2019-12-3 13:59:43 评论举报 18^# 诗酒配年华

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