[问答]

超导材料有什么用途？

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 1911年，荷兰科学家海克·卡末林·昂内斯用液氦冷却汞，当温度下降到绝对温标4.2K时水银的电阻完全消失，这种现象称为超导电性，此温度称为临界温度。根据临界温度的不同，超导材料可以被分为：高温超导材料和低温超导材料。但这里所说的「高温」，其实仍然是远低於冰点摄氏0℃的，对一般人来说算是极低的温度。 0
2019-10-17 09:12:21　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × 唯安an 该类别下有 6 个回答。邀请回答华秋商城该类别下有 6 个回答。邀请回答 xlong97 该类别下有 6 个回答。邀请回答 LiangQY0758 该类别下有 6 个回答。邀请回答 cmh12 该类别下有 6 个回答。邀请回答 iuwwufjsd 该类别下有 6 个回答。邀请回答 tutu10 该类别下有 5 个回答。邀请回答 60user79 该类别下有 5 个回答。邀请回答 chinaruto 该类别下有 5 个回答。邀请回答楼丞紫澈该类别下有 5 个回答。邀请回答 wang22222 该类别下有 5 个回答。邀请回答 lingjianghui 该类别下有 5 个回答。邀请回答 lgjmjx 该类别下有 5 个回答。邀请回答 huazhe 该类别下有 5 个回答。邀请回答 qp_12 该类别下有 5 个回答。邀请回答 oduwqoiud 该类别下有 5 个回答。邀请回答子璇ALICE 该类别下有 5 个回答。邀请回答 CHENYUHENG 该类别下有 5 个回答。邀请回答 yweyffdsw 该类别下有 5 个回答。邀请回答 xiaoge240 该类别下有 5 个回答。邀请回答举报段丽相关推荐 • 什么是超导限流器？ 2473 • 怎么设计365MHz高温超导带阻滤波器？ 2247 • 请问这些是什么类型的寄存器？有什么用途？ 1556 • 电子元器件有哪些用途 8258 • 高温超导滤波器的组成 1461 • fpga中的virtual machine hard drive image后缀的文件有什么用途 3221 • usb外置声卡有什么用途？和一般声卡有什么区别？ 588 • 请问这个C1有什么用途，是什么反馈 1933 • 旋转流变仪有什么用途？ 2608 • CY7C344-20JC是什么芯片？什么用途？ 2754 2个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 目录超导材料的发展史超导材料的分类超导材料的特性超导材料的用途超导材料的应用超导材料的发展史　　1911年，荷兰科学家海克·卡末林·昂内斯用液氦冷却汞，当温度下降到绝对温标4.2K时水银的电阻完全消失，这种现象称为超导电性，此温度称为临界温度。根据临界温度的不同，超导材料可以被分为：高温超导材料和低温超导材料。但这里所说的「高温」，其实仍然是远低於冰点摄氏0℃的，对一般人来说算是极低的温度。　　1933年，迈斯纳和奥克森菲尔德两位科学家发现，如果把超导体放在磁场中冷却，则在材料电阻消失的同时，磁感应线将从超导体中排出，不能通过超导体，这种现象称为抗磁性。　　经过科学家们的努力，超导材料的磁电障碍已被跨越，下一个难关是突破温度障碍，即寻求高温超导材料。　　1973年，发现超导合金――铌锗合金，其临界超导温度为23.2K，这一记录保持了近13年。　　1986年，设在瑞士苏黎世的美国IBM公司的研究中心报道了一种氧化物（镧钡铜氧化物）具有35K的高温超导性。此后，科学家们几乎每隔几天，就有新的研究成果出现。　　1986年，美国贝尔实验室研究的超导材料，其临界超导温度达到40K，液氢的“温度壁垒”（40K）被跨越。　　1987年，中国科学家赵忠贤以及美国华裔科学家朱经武相继在钇－钡－铜－氧系材料上把临界超导温度提高到90K以上，液氮的“温度壁垒”（77K）也被突破了。1987年底，铊－钡－钙－铜－氧系材料又把临界超导温度的记录提高到125K。从1986－1987年的短短一年多的时间里，临界超导温度提高了近100K。　　2001年，二硼化镁（MgB2）被发现其超导临界温度达到39K [1]。此化合物的发现，打破了非铜氧化物超导体（non-cuprate superconductor）的临界温度纪录。　　1990至2000年代，具ZrCuAsSi结构的稀土过渡金属氮磷族化合物（rare-earth transition-metal oxypnictide, ReTmPnO）陆续被发现[2] [3]。但并未有人发现其中的超导现象。　　2008年，日本的Hideo Hosono团队发现在铁基氮磷族氧化物（iron-based oxypnictide中，将部份氧以掺杂的方式用氟作部份取代，可使LaFeAsO1-xFx的临界温度达到26K[4]，在加压後（4 GPa）甚至可达到43K[5]。其後，中国的闻海虎团队，发现在以锶取代稀土元素之後，La1-xSrxFeAsO亦可达到临界温度25K[6]。其後，中国的科学家陈仙辉、赵忠贤等人，发现将镧以其他稀土元素作取代，则可得到更高的临界温度；其中，SmFeAs[O0.9F0.1]可达55K[7] [8]。另外，将铁以钴取代（LaFe1-xCoxAsO），稀土元素以钍取代（Gd1-xThxFeAsO），或是利用氧缺陷（LaFeAsO1-δ）等方式，也都可以引发超导[9] [10] [11]。　　此系统亦被简称为「1111系统」。此化合物的发现，非但再度打破了由MgB2保持的非铜氧化物超导体（non-cuprate superconductor）的临界温度纪录，其含铁却有超导的特性也受人注目。　　同样在2008年，受到上述「1111系统」的启发，ThCr2Si2结构的硷土金属氮磷族化合物（ATm2Pn2）亦被发现，在将BaFe2As2中将硷土金属（IIA）以硷金属（IA）部分取代，亦可得到临界温度约30至40K的高温超导体，如Ba1-xKxFe2As2（38 K） [12]。此系统亦被简称为「122系统」。如同氧化物超导体，「1111」与「122」系统的超导来源也是由层状结构中的FeAs层贡献，藉由不同价数的离子掺杂或是氧缺陷，可提升FeAs层载子的浓度，进而引发超导。

2019-10-17 16:40:03 评论举报王秀兰

答案对人有帮助，有参考价值 0 超导材料的分类　　超导材料按其化学成分可分为元素材料、合金材料、化合物材料和超导陶瓷。　　1.超导元素：在常压下有28种元素具超导电性，其中铌（Nb）的Tc最高，为9.26K。电工中实际应用的主要是铌和铅（Pb，Tc=7.201K），已用于制造超导交流电力电缆、高Q值谐振腔等。　　2.合金材料：超导元素加入某些其他元素作合金成分，可以使超导材料的全部性能提高。如最先应用的铌锆合金（Nb-75Zr），其Tc为10.8K，Hc为8.7特。继后发展了铌钛合金，虽然Tc稍低了些，但Hc高得多，在给定磁场能承载更大电流。其性能是Nb-33Ti，Tc=9.3K，Hc＝11.0特；Nb-60Ti，Tc=9.3K，Hc=12特（4.2K）。目前铌钛合金是用于7～8特磁场下的主要超导磁体材料。铌钛合金再加入钽的三元合金，性能进一步提高，Nb-60Ti-4Ta的性能是，Tc＝9.9K，Hc=12.4特（4.2K）；Nb-70Ti-5Ta的性能是，Tc=9.8K，Hc=12.8特。　　3.超导化合物：超导元素与其他元素化合常有很好的超导性能。如已大量使用的Nb3Sn，其Tc=18.1K，Hc=24.5特。其他重要的超导化合物还有V3Ga，Tc=16.8K，Hc=24特；Nb3Al，Tc=18.8K，Hc=30特。④超导陶瓷：20世纪80年代初，米勒和贝德诺尔茨开始注意到某些氧化物陶瓷材料可能有超导电性，他们的小组对一些材料进行了试验，于1986年在镧－钡－铜－氧化物中发现了Tc=35K的超导电性。1987年，中国、美国、日本等国科学家在钡－钇－铜氧化物中发现Tc处于液氮温区有超导电性，使超导陶瓷成为极有发展前景的超导材料。超导材料的特性　　1.零电阻性：超导材料处于超导态时电阻为零，能够无损耗地传输电能。如果用磁场在超导环中引发感生电流，这一电流可以毫不衰减地维持下去。这种“持续电流”已多次在实验中观察到。　　2.完全抗磁性：超导材料处于超导态时，只要外加磁场不超过一定值，磁力线不能透入，超导材料内的磁场恒为零。　　3.约瑟夫森效应：两超导材料之间有一薄绝缘层（厚度约1nm）而形成低电阻连接时，会有电子对穿过绝缘层形成电流，而绝缘层两侧没有电压，即绝缘层也成了超导体。当电流超过一定值后，绝缘层两侧出现电压U（也可加一电压U），同时，直流电流变成高频交流电，并向外辐射电磁波，其频率为，其中h为普朗克常数，e为电子电荷。这些特性构成了超导材料在科学技术领域越来越引人注目的各类应用的依据。超导材料的用途　　超导材料可用于制作交流超导发电机、磁流体发电机和超导输电线路等。目前超导量子干涉仪（SQUID）已经产业化。另外，作为低温超导材料的主要代表NbTi合金和Nb3Sn，在商业领域主要应用于医学领域的MRI（核磁共振成像仪）。作为科学研究领域，已经应用于欧洲的大型项目LHC项目，帮助人类寻求宇宙的起源等科学问题。超导材料的应用　　1、利用材料的超导电性可制作磁体，应用于电机、高能粒子加速器、磁悬浮运输、受控热核反应、储能等；可制作电力电缆，用于大容量输电（功率可达10000MVA）；可制作通信电缆和天线，其性能优于常规材料。还可用在太阳能电池中，如便携音箱锂电池。　　2、利用材料的完全抗磁性可制作无摩擦陀螺仪和轴承。　　3、利用约瑟夫森效应可制作一系列精密测量仪表以及辐射探测器、微波发生器、逻辑元件等。利用约瑟夫森结作计算机的逻辑和存储元件，其运算速度比高性能集成电路的快10～20倍，功耗只有四分之一。

2019-10-17 16:40:10 评论举报 h1654155275.5651