[问答]

纳米硅发光材料的前景如何？

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 1995年希腊科学家A.G.Nassiopuoulos等人用高分辨率的紫外线照相技术,各向异性的反应离子刻蚀和高温氧化的后处理工艺,首次在硅平面上刻划了尺寸小于20nm的硅柱和硅线的表面结构,观察到了类似于多孔硅的光激发光现象。 0
2019-9-26 09:10:15　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × 华秋商城该类别下有 6 个回答。邀请回答 xlong97 该类别下有 6 个回答。邀请回答 LiangQY0758 该类别下有 6 个回答。邀请回答 cmh12 该类别下有 6 个回答。邀请回答 iuwwufjsd 该类别下有 6 个回答。邀请回答唯安an 该类别下有 6 个回答。邀请回答 wang22222 该类别下有 5 个回答。邀请回答 lingjianghui 该类别下有 5 个回答。邀请回答 lgjmjx 该类别下有 5 个回答。邀请回答 huazhe 该类别下有 5 个回答。邀请回答 qp_12 该类别下有 5 个回答。邀请回答 oduwqoiud 该类别下有 5 个回答。邀请回答子璇ALICE 该类别下有 5 个回答。邀请回答 CHENYUHENG 该类别下有 5 个回答。邀请回答 yweyffdsw 该类别下有 5 个回答。邀请回答 xiaoge240 该类别下有 5 个回答。邀请回答 60user190 该类别下有 5 个回答。邀请回答 wei296 该类别下有 5 个回答。邀请回答 tutu10 该类别下有 5 个回答。邀请回答 chinaruto 该类别下有 5 个回答。邀请回答举报李开英相关推荐 • 基于硅纳米线的生物气味传感器是什么？ 2536 • 纳米硅有什么用途？ 5131 • 什么是新型纳米吸波涂层材料？ 16198 • 碳纳米纤维的应用前景怎么样？ 2964 • 关于新的纳米级测量技术的简要介绍 1603 • 如何在可控硅上接一个发光二极管？ 3406 • 宽频轻质吸波涂料有哪些研究？未来有哪些应用展望？ 1627 • 半导体材料有什么种类？ 10499 • 纳米级电接触电阻测量的新技术，不看肯定后悔 1370 • 新型超材料的发展前景怎么样 3770 2个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 目录纳米硅发光材料的发展历史与展望纳米硅发光材料的研究进展纳米硅发光材料的前景纳米硅发光材料的发展历史与展望　　1995年希腊科学家A.G.Nassiopuoulos等人用高分辨率的紫外线照相技术,各向异性的反应离子刻蚀和高温氧化的后处理工艺,首次在硅平面上刻划了尺寸小于20nm的硅柱和硅线的表面结构,观察到了类似于多孔硅的光激发光现象。如果氢氟酸腐蚀剥去了表面的氧化层以后,光激发光现象也随之消失。所有这些 ,再次雄辩地验证了量子限制效应和表面复合中心的光激发光机理模型。同年,德国科学家T.W.H.Wang等用扫描沟道显微镜,把在硅平面上刻划的硅线宽度减少到5nm,这样就有可能把现代先进的光刻技术应用于全硅型光电子集成技术. 　　当前,纳米硅基材料的光激发光 ,尤其是电致发光的效率和发光强度还比较低,全硅型的光电集成工艺技术尚未成熟,但是,自从1990年发现多孔硅发光现象引起的世界性轰动效应以来,纳米硅基发光材料一直是材料科学研究中备受关注的热门领域。对这类材料和器件的研究都已取得了重大进展。　　至今,研究热潮仍然方兴未艾。我们相信,对纳米硅基材料发光机理的研究将从现在共识的定性了解发展到建立起能够进行定量或半定量模拟计算的严密的机理模型 ,并应用现代先进的硅平面工艺技术 ,建立起成熟的全硅型光电集成工艺技术。在不久的将来,这种跨世纪的发光材料和集成器件,将应用到各个领域 ,进入千家万户。

2019-9-26 09:52:07 评论举报王子云

答案对人有帮助，有参考价值 0 纳米硅发光材料的研究进展　　(1)通过改变富硅量、退火条件等，控制氧化硅中硅纳米晶的尺寸及密度。文献认为出现硅纳米晶的临界温度是1000oC，而我们通过试验确定出现纳米晶的临界退火温度为900oC。　　(2)首次观察到Au/（Ge/SiO2）超晶格/p-Si结构的电致发光。右图出四周期Ge/SiO2超晶格的高分辨电镜图。其中亮线为SiO2，厚度为2.0nm，Ge层厚为2.4nm。　　(3)在硅衬底上用磁控溅射技术生长了纳米SiO2/Si/SiO2双势垒(NDB)单势阱三明治结构,首次实现Au/NDB/p-Si结构的可见电致发光。发现电致发光的峰位、强度随纳米硅层厚度(W)的改变作同步振荡。进一步试验和分析证明，振荡周期等于1/2载流子的deBroglie波长。　　(4)首次在用磁控溅射生长的SiO2：Si：Er薄膜的基础上实现了波长为1.54μm（光通讯窗口）的Er电致发光。　　(5)在热处理ITO/自然氧化硅/p-Si中首次获得低阈值电压的360nm的紫外电致发光，是已报道的最短波长的硅基电致发光。纳米硅发光材料的前景　　纳米硅结构实现了从近紫外到近红外的各主要波段（包括1.54和1.62μm）的光致发光和正向或反向偏压下的低阈值电压电致发光，并提出了受到广泛支持的光致发光和电致发光模型，这为最终实现硅基光电集成打下一定的基础。具有重要的科学意义和巨大的应用前景。

2019-9-26 09:52:12 评论举报张宁