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我使用一个16F1825和一个Irf540门驱动器来驱动一个18安培的HEXFET额定值。用它驱动了8点5安培的负载,并很好地完成了,但现在更像是14安培。散热器变得很热,我计划把负载分成两半,用两个相同的六极管驱动散热器。把安培数减少一半,应该能把每个六极管产生的热量减少到1/4,使热量净减少一半。我的电路板上再也没有空间换另一个散热器了,所以我想把它们放回同一个散热片上。这有什么问题吗?可以使用相同的栅极驱动器的单一输出,并将信号分割成两个栅极电阻到HEXFETs吗?负载是否必须被分开或者HEXFETs可以并行驱动相同的负载吗?
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1个回答
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如果你使用相同的散热器,你不会因为分裂而得到很多。最好的方法是计算你的损失,看看它们来自哪里-Rdson或开关,看看你能否通过改变开关频率和/或选择更好的FET来减少它们。
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