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根据Datasheet 中的描述是可进行8个字节的页写，超过8个字节就会覆盖该页首地址的数据；但是我在实际51单片机与24c02读写时，怎么写到第17位才开始覆盖页首地址的数据呢？？
求大神指导。我错在哪儿了 
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8个回答
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已经搞定
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建议直接使用《51单片机轻松入门-基于STC15W4K系列》的配套例程，有自动翻页功能，不需要考虑存储芯片页面大小问题。
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我想知道AT24C02是不是有问题，不是在考虑哪一种芯片更好用的问题
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AT24C02是一个2K位串行CMOS E2PROM， 内部含有256个8位字节，CATALYST公司的先进CMOS技术实质上减少了器件的功耗。AT24C02有一个16字节页写缓冲器。该器件通过IIC总线接口进行操作，有一个专门的写保护功能。
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2个问题：CATALYST和ATMEL不是同一个公司吗？还有我看AT24c02的datasheet里面只有8个字节的页写功能呀，怎么能够页写16个字节？
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不太清楚
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AT24C02是不是有问题，不是在考虑哪一种芯片更好用的问题——不是让你选芯片，是让你用完整现成的成熟程序，24C01、24C02、24C16、24C32、24C64等等芯片虽然有页面限制，但成熟的软件是可以自动翻页的，不受芯片页的影响。
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这个我理解的，但是我作为一个初学者来说，多掌握一些内部原理来编写自己的库函数，不是更好吗？相对于51单片机来说，不是所有的芯片都要成熟的库函数来引用的。
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