MSP430F149嵌入式系统中的FLASH K9F1G08U0M有哪些应用？

1026 存储器

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 NAND Flash是采用NAND结构技术的非易失存储器，具有ROM存储器的特点。NAND FLASH 存储器将数据线与地址线复用为8条线，另外还分别提供了命令控制信号线，因此，NAND FLASH 存储器不会因为存储容量的增加而增加引脚数目。从而极大方便了系统设计和产品升级。 0
2019-8-13 08:30:58　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × HengDu 该类别下有 16 个回答。邀请回答 heks 该类别下有 16 个回答。邀请回答 ChristineGu 该类别下有 16 个回答。邀请回答 nhonglan 该类别下有 15 个回答。邀请回答 yonglanzhang 该类别下有 15 个回答。邀请回答 dfasda 该类别下有 15 个回答。邀请回答 wenminglang 该类别下有 14 个回答。邀请回答 C880U 该类别下有 14 个回答。邀请回答 jhdfvs 该类别下有 14 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 14 个回答。邀请回答 muwersddg 该类别下有 14 个回答。邀请回答杀狼000 该类别下有 14 个回答。邀请回答飞雪9366 该类别下有 13 个回答。邀请回答 billbian 该类别下有 13 个回答。邀请回答 a732538 该类别下有 13 个回答。邀请回答 hrtuoyu 该类别下有 13 个回答。邀请回答 hfgdzc 该类别下有 13 个回答。邀请回答 thyysbk 该类别下有 13 个回答。邀请回答凡人wlj 该类别下有 13 个回答。邀请回答 kszdj113 该类别下有 13 个回答。邀请回答举报杜文渊相关推荐 • msp430f149和msp430f149ipm有区别吗？ 4330 • μC/OS-Ⅱ在MSP430F149上怎么移植？ 1469 • M430/OS在MSP430F149上的实现方法，看完你就懂了 1081 • proteus中没有msp430f149怎么办 9123 • 请问MSP430F149能跑ucos 3吗？ 3627 • msp430f149与哪个ad芯片配合最好 4905 • msp430f149如何设计为u*** host 2576 • MSP430f149的PCB图 6370 • 小白求一个msp430f149的蓝牙连接方案 2800 • 请问msp430f149与msp430f249在移植程序上要注意哪些？ 2401 2个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 1 元件介绍 1.1 MSP430芯片 MSP430系列单片机是TI公司推出的16位RISC系列单片机，该系列是一组超低功耗微控制器，供电电压范围为1.8V—3.6V。考虑到本系统有微体积、低功耗的要求，在此选用MSP430F149，它具有60KB Flash Memory、2kb RAM、有8个通道采样率为200K的12位A/D转换器、硬件乘法器、2个带有大量捕获/比较寄存器的16位定时器、看门狗等，为系统的进一步开发扩展提供了良好的基础，特别适用于较复杂的系统开发。 1.2 NAND Flash NAND结构Flash是Sumsung公司隆重推出并着力开发的新一代数据存储器件,在此选用芯片K9F1G08U0M，电源电压2.7V—3.6V，与MSP430F149一致，功耗低，容量可达128M×8Bit，按页进行读写，按块擦除，通过I/O口分时复用作为命令引脚/地址引脚/数据引脚。有很高的可靠性。 2 硬件设计本系统中，K9F1G08U0M的数据输入输出口与单片机的P6端口相连。片选信号与单片机的P2.4相连， CLE(命令锁存控制端)、ALE(地址锁存控制端)、WE(写操作控制端)、RE(读操作控制端)分别通过控制单片机P3.3、P2.3、P2.6、P2.5引脚的电平，决定对FLASH 进行控制字操作、地址操作、写操作还是读操作。在此不使用写保护功能，所以WP接高电平。FLASH与单片机的部分连接组成电路如图1所示。图1 MSP430F149与K9F1G08U0M的连接

2019-8-13 16:43:05 评论举报陈畅妮

答案对人有帮助，有参考价值 0 3 软件设计 MSP430的开发软件较多，本文采用IAR公司的集成开发环境—IAR Embedded workbench 嵌入式工作台，利用C430(MSP430系列的C语言)编写调试。单片机对FLASH的操作主要有写、读、擦除。 3.1 写操作向FLASH内部写数据是基于页的，K9F1G08U0M的命令字、地址和数据都是通过并行口线I/O0—I/O7在控制信号的作用下分时操作。地址A0—A10，A11—A26通过I/O0—I/O7分4次送入。同时K9F1G08U0M芯片提供了一根状态指示信号线，当该信号为低电平时，表示FLASH可能正处于擦除、编程或读操作的忙状态;而当其为高电平时，则表示为准备好状态，此时可以对芯片进行各种操作。本系统须写入126M数据写操作流程图如图2。 3.2 读操作读操作有串行页读、连续行读、随机读3种类型。在此选用串行页读取。首先将读操作控制字00h输入，再写入地址，写入控制字30h，待信号变高后，将本页数据依次读出。随后再改变页地址读出其它页内数据。操作流程图如图3。图2 写操作流程图图3 读FLASH数据程序流程图 3.3 擦除操作任何FLASH器件的写入操作都必须在空的或已擦除的单元内进行，因此在进行下一次存储数据之前都必须对FLASH进行擦除操作。擦除操作基于块，K9F1G08U0M内有1024块，块地址的输入需要两个周期，块操作的地址只有A18—A27有效，A12—A17备忽略。在地址后被送入的块擦除命令(D0h)启动块擦除操作，待信号变高后，送入命令字70h，读出I/O0的值来判断数据擦除是否成功。图4为块擦除流程图。图4 擦除FLASH程序流程图程序设计 #e#4 程序设计在此给出写操作部分程序，读操作和擦除操作均可参考文中流程图来编程，值得注意的是其它具体写地址操作应仔细阅读 K9F1G08U0M芯片资料。 #include #define CLE BIT3 #define ALE BIT3 #define WE BIT6 #define CE BIT4 #define RE BIT5 #define RB BIT7 void ReadFlash(); //读FLASH子程序 void WriteFlash(); //写FLASH子程序 void inituart(void); //初始化异步串行通信 void Write10h(); //写控制字10h子程序 void WriteCommand(); //写命令字写地址 void ClrFlash(); //擦除FLASH子程序 unsigned int k,i,a void main () { WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; BCSCTL1 &= ~XT2OFF; do { IFG1 &= ~OFIFG; for (iq0=0x05; iq0>0; iq0--); } //检验晶振是否起振 while ((IFG1 & OFIFG)!= 0); BCSCTL2 = SELM_2 + SELS + DIVS0; //SMCLK选择2分频后的4M While(k<0xFC00) //页数<64512时执行 { WriteCommand(); //调用写控制字写地址子程序 While(i<2048) //字节数<2048时执行循环 { WriteFlash(); //调用写数据子程序, 32个字节 i=i+32; //字节数+32 } i=0; //一页写完后,字节数置0 Write10h(); //调用写10h子程序 while(!(P2IN & RB)); //等待RB信号变高 k++; //页数+1 } k=0; //页数置0 LPM4; //全部写完后，MSP430进入低功耗模式4 5 结束语实验表明：整个系统简单可靠、功能完善、运行稳定，具有实用价值。本文完成了对FLASH的写操作、读操作及擦除操作，达到了系统的微体积和低功耗特性。

2019-8-13 16:43:08 评论举报赵晶晶