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我正在尝试为一个DSSPICEP128GM310部分编写一个引导加载程序。我已经发现模拟器没有显示正确的页面擦除结果，所以我放弃了调试。使用真正的硬件，我可以擦除页面（512条指令被正确擦除）并使用正常的表读从程序存储器中读取数据。-新的编程机制。根据数据表，您不再需要写入锁存器。您将程序内存设置为以与页擦除相同的方式写入，然后使用两个新寄存器（NVMSRCADRH和NVMSRCADRL）来指向闪存数据来自的数据（RAM）内存中的地址。然后，将NVMCON寄存器设置为0x4002（使用来自RAM的源数据的内存行程序操作），然后通过设置MVMKEY（就像擦除一样）和presto（预置）进行魔术般的开始，假设它会自动对闪存进行编程。除此之外，XC16V1.26中的FLASH帮助器没有任何对NVMSRCADRH或NVMSRCADRL寄存器的引用。是否有示例汇编代码，说明编程是如何完成的？谢谢！
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9个回答
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MPLAB假定在调试期间闪存没有改变。这避免了调试非常慢。在MPLAB 8中，您可以停止调试和读取数据。在MplabX，这可能更困难。除了MPLABX之外，您还需要使用IPE。
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它不完全像FRM那样，但是数据表中的第5章提供了足够的信息来解决这一问题。
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除了信息不能用于行编程。
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新零件和无文档1。检查论坛2。看看MCC是否知道。3.写一张支持票。
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它对我来说很好。
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这个命令没有改变什么。擦除页的作品，告诉我，nvmadru：nvmadr设置正确。我不检查擦除完成因为数据表状态的CPU是停滞不前，直到删除了（那两颗是必需的原因）。在继续写之前，我会对15位进行测试，看看是否有区别。
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好。。。等待15位由硬件清除不是可选的！即使写是在第二个NOP之后完成的（写密钥之后），GM系列芯片也不是这样的！因此，与任何其他PIC24／33不同的是，在写入锁存器然后写入密钥时，必须等待写入完成。
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（无耻的尸体解剖）我的EV系列也有类似的问题，它是一个通用部件。它具有使用ram缓冲区编程行的能力。即使产品页面上的参考手册章节没有提到它，在双分区闪存章节中也描述了来自ram的确切行编程。无论如何，我正在为EV编写引导加载程序，我编写了这个例程，它闪烁了一行之前擦除过的pr为了使它看起来更漂亮，人们很感激使用图形记忆指针（但我想唯一的办法是制作一个单独的.S文件）。同时，我注意到了两个将来可能有用的东西：确保删除行。在测试时，我做了一个错误，把最大地址增加了64，而不是128（64个指令）！必须乘以2)MCU没有抱怨AT ALL，没有设置任何与NVM相关的标志。第二，试图使用表读回内存将产生一个通用的陷阱错误，而不是由手册建议的任何源（SWTRAP或INTCON4中的任何位）引起的。C33EV256GM106，硅修订版A6，它解决了错误表中出现的ECC错误。同样，没有设置相关标志。将dest地址增加128，因此不写写写存储器，使得问题消失。
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这取决于照片。一些图片使用旧模式，其他使用NVMSRCADRL。还有其他不同之处。
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只有小组成员才能发言，加入小组>>
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