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你好,
你有任何测试数据可用于辐射和SEU/SELN框架吗?我特别关注FM22LD16部件,但一切都会好的。希望在辐射恶劣的环境中获得这些部件的信心。 干杯 席子 以上来自于百度翻译 以下为原文 Hi, Do you have any test data available for radiation exposure and SEU/SEL on the FRAM parts? I'm specifically looking at FM22LD16 parts, but anything would be good. Looking to get confidence in these parts for a radiation harsh environment. cheers Mat |
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2个回答
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嗨,我附上了一份文件,它显示了FRAM(一般来说)对外部电磁场和辐射敏感性的测试结果。然而,这并没有给出关于SER的信息。我希望这份文件对你有用。问候,Asha
辐射。 474.4 K 以上来自于百度翻译 以下为原文 Hi, I have attached a document which shows the test results of FRAM (in general) for susceptibility to external electromagnetic field and radiation. However, this doesn't give information about SER. I hope this document is useful to you. Regards, Asha
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易失性存储器,DRAM和SRAM,使用电容器来存储电荷或简单的锁存器来存储状态。这些细胞可以被α粒子、宇宙射线、重离子、伽马射线、X射线等扰乱,这会导致位翻转到相反的状态,从而导致软错误。由于F- RAM电池存储状态为PZT膜(锆钛酸铅)偏振,粒子击中是不太可能引起偏振改变给定的电池状态。
以上来自于百度翻译 以下为原文 Volatile memories, DRAM and SRAM, use a capacitor to store charge or a simple latch to store state. These cells can be upset by alpha particles, cosmic rays, heavy ions, gamma, x-rays, etc. which cause bits to flip to an opposite state to cause a soft error. Since the F-RAM cell stores the state as a PZT film(lead zirconate titanate ) polarization, a particle hit is very unlikely to cause the polarization to change a given cell’s state. |
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请问可以直接使用来自FX2LP固件的端点向主机FIFO写入数据吗?
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